[发明专利]有源矩阵有机发光二极管面板结构在审
| 申请号: | 201811361314.9 | 申请日: | 2018-11-15 |
| 公开(公告)号: | CN109616495A | 公开(公告)日: | 2019-04-12 |
| 发明(设计)人: | 易士娟 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
| 代理公司: | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人: | 黄威 |
| 地址: | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 显示像素 虚拟像素单元 弧形边缘 组边缘 显示区 有机发光二极管面板 外侧边 源矩阵 边缘显示 负载效应 亮度降低 像素单元 邻接 环绕 | ||
一种有源矩阵有机发光二极管面板结构,包括:一显示区,包括一外侧边环绕所述显示区,所述外侧边形成有至少一弧形边缘部;多个显示区内的显示像素单元,其一部份被定义成至少一组边缘显示像素单元而邻接所述至少一弧形边缘部;至少一组虚拟像素单元,设置在所述显示区的所述外侧边上并且对应所述至少一弧形边缘部。所述至少一组虚拟像素单元连接位于对应的所述至少一弧形边缘部所连接的所述至少一组边缘显示像素单元,并且位于所述至少一组边缘显示像素单元的外侧;其中,各所述边缘显示像素单元直接连接至少一所述虚拟像素单元。所述至少一组虚拟像素单元可降低所述至少一组边缘显示像素单元的负载效应,减少亮度降低的问题。
技术领域
本发明是有关于一种有源矩阵有机发光二极管(Active-matrix organic lightemitting diode,AMOLED)面板结构,其在AMOLED面板的显示区的弧形边缘处增加假像素(Dummy Pixel)单元,消除负载效应(Loading effect)对所述显示区的弧形边缘处的显示像素单元的影响,进而提升所述AMOLED面板均匀度,增强画面显示效果。
背景技术
有源矩阵有机发光二极管(Active-matrix organic light emitting diode,AMOLED)面板具有自发光的特性,采用非常薄的有机材料涂层和玻璃基板,这些有机材料在通电的情况下会自行发光。AMOLED面板是自发光,不像薄膜晶体管液晶显示器(Thin FilmTransistor Liquid Crystal Display,TFT LCD)需要背光模组。此外,AMOLED面板具有视角广,色饱和度高等优点,尤其,AMOLED面板具有低驱动电压、功耗低、快速反应、重量轻、厚度薄,构造简单,成本低等优点,因此AMOLED面板被视为目前最具前景面板产品之一。
请参照图1及图2,现有技术的AMOLED面板,具有一边框90以及一显示区91。所述显示区91设置在边框内,大致成矩形且具有四个顶角及分别位于所述四个顶角上的四个圆弧边缘910。此外,所述显示区91上设置有多个呈矩阵排列的像素单元915,所述多个像素单元915为依据特定规则排列的红、绿、蓝像素单元915。
然而,位于所述显示区91的圆弧边缘910处的像素单元915,容易因为负载效应(Loading effect)等因素,导致示区的圆弧边缘910处的像素单元915所显示的亮度下降或是亮度不均,严重影响显示效果。
上述负载效应是指:AMOLED面板的阵列基板(Array Substrate)制程中的曝光、显影、蚀刻过程中,由于圆弧边缘910区域的边缘像素单元915的图形(Pattern)密度不同于较内部的像素单元915的图形密度,导致边缘像素单元915的实际尺寸与目标尺寸不符,进而造成边缘像素单元915的显示亮度或色彩不均。
故,有必要提供一种有源矩阵有机发光二极管面板结构,以解决现有技术所存在的问题。
发明内容
本发明的主要目的在于提供一种有源矩阵有机发光二极管(Active-matrixorganic light emitting diode,AMOLED)面板结构,其在AMOLED面板的显示区的弧形边缘处增加假像素(Dummy Pixel)单元,消除负载效应(Loading effect)对所述显示区的弧形边缘处的显示像素单元的影响,进而提升所述AMOLED面板均匀度,增强画面显示效果。
为达本发明上述目的,本发明一实施例提供一种有源矩阵有机发光二极管面板结构,包括显示区和围绕所述显示区的非显示区,其中:
所述显示区具有外侧边,所述外侧边具有至少一个弧形边缘部;
多个显示像素单元设置在所述显示区内,位于所述弧形边缘部的所述显示像素单元包括至少一组边缘显示像素单元;
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉华星光电半导体显示技术有限公司,未经武汉华星光电半导体显示技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201811361314.9/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





