[发明专利]一种微机电器件制备方法及装置

权利要求书

1.一种微机电器件制备方法，其特征在于，包括：

在第一晶圆衬底背面制备对准标记；

以所述对准标记为对准参考，在所述第一晶圆衬底背面制备导电通道；

翻转所述第一晶圆衬底，以所述对准标记为对准参考，采用背面到正面的对准技术，在所述第一晶圆衬底正面制备电极窗口和可偏转元件；

翻转所述第一晶圆衬底，以所述对准标记为对准参考，在所述第一晶圆衬底背面制备与所述导电通道电连接的致电极控制电路。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在第一晶圆衬底背面制备对准标记之后，还包括：

在保留所述对准标记的基础上，对所述第一晶圆衬底背面进行研磨抛光。

3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，

所述在第一晶圆衬底背面制备对准标记，包括：在第一晶圆衬底背面制备深度为600纳米～1200纳米的对准标记；

所述对所述第一晶圆衬底背面进行研磨抛光，包括：对所述第一晶圆衬底背面进行研磨抛光，研磨抛光后所述对准标记的深度为300纳米～1100纳米。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述翻转所述第一晶圆衬底，以所述对准标记为对准参考，采用背面到正面的对准技术，在所述第一晶圆衬底正面制备电极窗口和可偏转元件，包括：

翻转所述第一晶圆衬底，以所述对准标记为对准参考，采用背面到正面的对准技术，在所述第一晶圆衬底正面的顶硅层和埋氧化层内制备所述电极窗口，所述电极窗口与所述导电通道对准；

将第二晶圆衬底置于所述第一晶圆衬底正面，并键合所述第一晶圆衬底和第二晶圆衬底；

以所述对准标记为对准参考，采用背面到正面的对准技术，光刻所述第二晶圆衬底，制备所述可偏转元件。

5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，所述将第二晶圆衬底置于所述第一晶圆衬底正面，包括：

将第二晶圆衬底背面进行减薄，倒置所述第二晶圆衬底，以所述第二晶圆衬底正面接触所述第一晶圆衬底正面来将所述第二晶圆衬底置于所述第一晶圆衬底正

面，其中，所述第二晶圆衬底正面设置有顶硅层和/或埋氧化层。

6.如权利要求4所述的方法，其特征在于，所述电极窗口的开口尺寸小于所述导电通道的横截面尺寸。

7.如权利要求4所述的方法，其特征在于，所述在所述第一晶圆衬底背面制备与所述导电通道电连接的致电极控制电路之前，还包括：

将第三晶圆置于所述可偏转元件上，并键合所述第三晶圆与所述第二晶圆衬底。

8.如权利要求7所述的方法，其特征在于，所述在所述第一晶圆衬底背面制备与所述导电通道电连接的致电极控制电路之后，还包括：

解除所述第三晶圆与所述第二晶圆衬底的键合。

9.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述以所述对准标记为对准参考，在所述第一晶圆衬底背面制备导电通道，包括：

以所述对准标记为对准参考，在所述第一晶圆衬底背面光刻制备环形沟槽；

对所述环形沟槽进行绝缘介质填充；

对所述环形沟槽包围的硅通孔进行离子注入或掺杂扩散，形成硅通孔导电通道。

10.一种微机电器件制备装置，其特征在于，包括：

对准模块，用于在第一晶圆衬底背面制备对准标记；

通道制备模块，用于以所述对准标记为对准参考，在所述第一晶圆衬底背面制备导电通道；

可偏转元件制备模块，用于翻转所述第一晶圆衬底，以所述对准标记为对准参考，采用背面到正面的对准技术，在所述第一晶圆衬底正面制备电极窗口和可偏转元件；

电路制备模块，用于翻转所述第一晶圆衬底，以所述对准标记为对准参考，在所述第一晶圆衬底背面制备与所述导电通道电连接的致电极控制电路。