[发明专利]环抛加工中光学元件内部温度的测量方法

权利要求书

1.环抛加工中光学元件内部温度的测量方法，其特征在于，具体步骤如下，

步骤一、在光学元件温度采集体(1)上钻设有多个盲孔作为温度采集孔(2)，多个温度采集孔(2)以光学元件温度采集体(1)中心点为圆心、呈同心圆环形阵列均匀排布；除圆心上的温度采集孔(2)外，位于同心圆环形阵列同一条半径上的温度采集孔(2)为一组，同一组内温度采集孔(2)深度相同，且位于同一条直径上的两组温度采集孔(2)深度不同；

步骤二、开启环抛机床，保持光学元件温度采集体(1)与沥青盘(4)贴合并同步运动，实时采集并保存各个温度采集孔(2)底部的温度值，直至温度值不再变化，关闭环抛机床，继续采集并保存各个温度采集孔(2)底部的温度值，当温度值不再变化时，停止采集，上述步骤所得的光学元件温度采集体(1)的实时温度值即为光学元件内部温度；

从光学元件温度采集体(1)获得温度分布数据后，再加工与光学元件温度采集体(1)相同的光学元件时，则不需要再次进行测量，而是根据从光学元件温度采集体(1)上获得的温度数据基础上进行元件环抛加工。

2.根据权利要求1所述的环抛加工中光学元件内部温度的测量方法，其特征在于，步骤二中利用温度采集装置采集各个温度采集孔(2)底部的温度值：

温度采集装置包括多个温度传感器(5)和一个记录仪(7)；温度传感器(5)的数量与温度采集孔(2)数量相等；

将多个温度传感器(5)的测量端分别插入至多个温度采集孔(2)、并使得所述测量端与温度采集孔(2)的底面接触；

在温度采集孔(2)内填充隔热材料(6)，使得温度传感器(5)的测量端固定在温度采集孔(2)内；

将记录仪(7)固定在保持环(3)上，用于接收所有温度传感器(5)采集的温度信号。

3.根据权利要求1或2所述的环抛加工中光学元件内部温度的测量方法，其特征在于，光学元件温度采集体(1)的横截面为矩形或圆形。

4.根据权利要求2所述的环抛加工中光学元件内部温度的测量方法，其特征在于，隔热材料(6)的填充高度与温度采集孔(2)开口平齐。

5.根据权利要求2或4所述的环抛加工中光学元件内部温度的测量方法，其特征在于，隔热材料(6)为石英砂。

6.根据权利要求2或4所述的环抛加工中光学元件内部温度的测量方法，其特征在于，温度传感器(5)为热电阻。