[发明专利]离子布植设备与其散热构件

说明书

本揭露有关于一种离子布植设备与其散热构件。此散热构件包含本体、多个凹陷渠道、第一流道、第二流道及流道图案。于本体中，顶表面的面积是大于底表面的面积，且第一侧面具有贯穿顶表面与底表面的凹陷部。凹陷渠道是设于相邻于第一侧面的第二侧面与第三侧面上，并形成鳍片结构。第一流道与第二流道分别穿过底表面，并延伸至本体中，且第一流道与第二流道分别位于凹陷部的两侧。流道图案是埋设于本体中，且连通至第一流道与第二流道。其中，流道图案至少覆盖部分凹陷渠道的上方。

技术领域

本揭露是有关一种散热构件，且特别是提供一种应用于离子布植设备的散热构件。

背景技术

为了呈现出不同的半导体特性，半导体装置可掺入不同的掺质，以满足应用需求。通过离子布植机，半导体制程可将欲掺杂的原子或分子转为带电离子，再将带电离子加速植入至晶圆表面的某一深度，以达成改变材料物性的目的。例如：晶圆可掺入p型掺质(例如：硼等掺质)或n型掺质(例如：磷或砷等掺质)。一般而言，离子布植机是通过施加电压所产生的热电子来撞击通入的布植气体，以使其解离为带电离子。其中，这些带电离子可进一步被萃取，以分离出欲布植的掺质。

发明内容

根据本揭露的一态样，提出一种散热构件。此散热构件包含本体、多个凹陷渠道、第一流道、第二流道及流道图案。本体具有顶表面、底表面、第一侧面，以及相邻于第一侧面且彼此相对的第二侧面和第三侧面。顶表面的面积是大于底表面的面积，且第一侧面具有由顶表面贯穿至底表面的凹陷部。凹陷渠道分别设于第二侧面与第三侧面上，而形成多个鳍片结构。第一流道与第二流道分别穿过底表面，并延伸至本体中，且第一流道与第二流道分别位于凹陷部的两侧。流道图案是埋设于本体中，且连通至第一流道与第二流道。其中，流道图案至少覆盖部分凹陷渠道的上方。

根据本揭露的另一态样，提出一种离子布植设备。此离子布植设备包含电弧腔体、阴极电极、基座、第一管路与第二管路、前述的散热构件及两个散热膜。电弧腔体具有底板与侧板。阴极结构是设于电弧腔体内的侧板上。第一管路与第二管路贯穿过基座。这些散热膜分别覆盖散热构件的顶表面与底表面，且这些散热膜分别直接接触底板与基座的顶面。第一管路与第二管路分别穿过散热膜的一者。第一管路的一端连通至散热构件的第一流道，且第二管路连通至散热构件的第二流道。

附图说明

从以下结合所附附图所做的详细描述，可对本揭露的态样有更佳的了解。需注意的是，根据业界的标准实务，各特征并未依比例绘示。事实上，为了使讨论更为清楚，各特征的尺寸可任意地增加或减少。

图1A是绘示根据本揭露的一实施例的散热构件的立体示意图；

图1B是绘示根据本揭露的一实施例的散热构件的侧视示意图；

图1C是绘示根据本揭露的一些实施例沿着图1A的剖切线A-A’剖切的散热构件的剖面示意图；

图1D是绘示根据本揭露的一些实施例沿着图1A的剖切线B-B’剖切的散热构件的剖面示意图；

图2A是绘示根据本揭露的一实施例的散热构件的立体示意图；

图2B是绘示根据本揭露的一些实施例沿着图2A的剖切线C-C’剖切的散热构件的剖面示意图；

图2C是绘示根据本揭露的一些实施例沿着图2A的剖切线D-D’剖切的散热构件的剖面示意图；

图3A是绘示根据本揭露的一实施例的散热构件的立体示意图；

图3B是绘示根据本揭露的一些实施例沿着图3A的剖切线E-E’剖切的散热构件的剖面示意图；

图4是绘示依照本揭露的一实施例的离子布植设备的剖面示意图；

图5是绘示依照本揭露的一实施例的离子布植设备的电弧腔体内部的剖面俯视示意图。

具体实施方式