[发明专利]离子布植设备与其散热构件有效
| 申请号: | 201811337463.1 | 申请日: | 2018-11-12 |
| 公开(公告)号: | CN111180300B | 公开(公告)日: | 2022-10-21 |
| 发明(设计)人: | 程俊玮;庄凱富;陈立伟;萧名宏;郭志弘;潘俊斌;陈俊宇 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司;建泓科技实业股份有限公司 |
| 主分类号: | H01J37/317 | 分类号: | H01J37/317;H01J37/32 |
| 代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国 |
| 地址: | 中国台湾新竹市*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 离子 设备 与其 散热 构件 | ||
1.一种散热构件,其特征在于,该散热构件包含:
一本体,具有一顶表面、一底表面、一第一侧面,及相邻于该第一侧面且彼此相对的一第二侧面和一第三侧面,该顶表面的面积大于该底表面的面积,其中该第一侧面具有由该顶表面贯穿至该底表面的一凹陷部;
多个凹陷渠道,分别设于该第二侧面与该第三侧面上,而形成多个鳍片结构;
一突出部,位于该本体的一第四侧面上,其中该第四侧面是相对于该第一侧面,且相邻于该第二侧面与该第三侧面;
一第一流道,穿过该底表面,并延伸至该本体中;
一第二流道,穿过该底表面,并延伸至该本体中,其中该第一流道与该第二流道分别位于该凹陷部的两侧;以及
一流道图案,埋设于该本体中,且连通至该第一流道与该第二流道,其中该流道图案至少覆盖部分的所述多个凹陷渠道的上方。
2.根据权利要求1所述的散热构件,其特征在于,该流道图案对该本体的该顶表面的一表面积比是介于15%至40%之间。
3.根据权利要求1所述的散热构件,其特征在于,该流道图案与该顶表面间的一距离为1.5毫米至4毫米。
4.根据权利要求1所述的散热构件,其特征在于,该凹陷部和该第二侧面间的该流道图案的分布密度是大于该凹陷部和该第三侧面间的该流道图案的分布密度。
5.根据权利要求1所述的散热构件,其特征在于,该散热构件还包含:
另一流道图案,平行于该流道图案,且介于该流道图案与该底表面之间,其中该另一流道图案连通至该第一流道与该第二流道。
6.根据权利要求5所述的散热构件,其特征在于,该流道图案与该另一流道图案间的一垂直距离为2毫米至4.5毫米。
7.根据权利要求1所述的散热构件,其特征在于,该散热构件的该顶表面接触一设备的一底面,且该突出部的一顶表面的面积是大于或等于该凹陷部所对应的该设备的该底面的面积。
8.一种离子布植设备,其特征在于,该离子布植设备包含:
一电弧腔体,具有一底板与一侧板;
一阴极电极,设于该电弧腔体内的该侧板上;
一基座;
一第一管路和一第二管路,贯穿过该基座;
如权利要求1至7中的任一项所述的散热构件,设于该电弧腔体与该基座之间;以及
两散热膜,分别覆盖该散热构件的该本体的该顶表面与该底表面,所述两散热膜分别直接接触该底板与该基座的一顶面,其中该第一管路与该第二管路分别穿过所述两散热膜的一者,该第一管路的一端连通至该散热构件的该第一流道,该第二管路的一端连通至该散热构件的该第二流道。
9.根据权利要求8所述的离子布植设备,其特征在于,该散热构件的该流道图案对应该阴极电极的一区域的分布密度是大于该流道图案对应其他区域的分布密度。
10.根据权利要求8所述的离子布植设备,其特征在于,该第一管路的另一端与该第二管路的另一端连通至一冷却流体源。
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