[发明专利]一种层叠电感器及其制造方法在审
| 申请号: | 201811311731.2 | 申请日: | 2018-11-06 |
| 公开(公告)号: | CN109448978A | 公开(公告)日: | 2019-03-08 |
| 发明(设计)人: | 梁水金 | 申请(专利权)人: | 广州市今凯电子有限公司 |
| 主分类号: | H01F41/00 | 分类号: | H01F41/00;C23C16/40;C23C16/513 |
| 代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
| 地址: | 510000 广东省广州市番禺*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 层叠电感器 电子元器件 外电极 电子元器件表面 制造 等离子改性处理 毛刺 片式元器件 疏水性能 涂布电极 多端子 元器件 浆料 膜层 平直 沉积 光滑 | ||
1.一种层叠电感器及其制造方法,其特征在于,包括以下步骤:
S1、在对电子元器件涂布外电极前对其表面进行等离子改性处理,在电子元器件表面沉积生成均匀的SiOx膜层,使电子元器件表面获得一定疏水性能,所述电子元器件尤其是多端子片式元器件;
S2、对电子元器件涂布电极浆料以形成外电极。
2.如权利要求1所述的制作电子元器件的外电极的方法,其特征在于,在步骤S2之后,通过烧结的方式将产品表面沉积的SiOx膜层除去。
3.如权利要求1所述的制作电子元器件的外电极的方法,其特征在于,步骤S1中,使用传送带使电子元器件通过放置在真空室中的靶材且不与所述靶材接触,并加载单体HMDSO和作为载体的氩气,所述靶材设置为-1000~-2600V的负电压,所述传送带设置为-100~-600V的负电压,处理过程中通入反应气体,所述反应气体、所述氩气及所述单体HMDSO在电场的作用下电离形成等离子,所述单体HMDSO与所述等离子中的高能粒子碰撞,形成活性自由基和聚合Si-O-Si前驱物,从而在电子元器件表面沉积生成均匀的SiOx膜层。
4.如权利要求3所述的制作电子元器件的外电极的方法,其特征在于,所述靶材设置成矩形的箱体,所述箱体的宽度和高度为10-40cm,电子元器件在所述传送带上从所述箱体中间通过。
5.如权利要求4所述的制作电子元器件的外电极的方法,其特征在于,所述箱体的长度根据需要设置,且所述箱体在长度方向上采用分段或非分段设置。
6.如权利要求3至5任一项所述的制作电子元器件的外电极的方法,其特征在于,所述靶材由铜、铁、镍、钨、钼、钛中的任一种材料制成。
7.如权利要求3至6任一项所述的制作电子元器件的外电极的方法,其特征在于,在靶材两端设置金属传送带定位轴,并使传送带及电子元器件处于靶材通道的中心,通过金属传送带承载和运送电子元器件。
8.如权利要求3至7任一项所述的制作电子元器件的外电极的方法,其特征在于,所述反应气体为氢气、氧气、氮气中的任一种。
9.一种层叠电感器及其制造方法,其特征在于,包括以下步骤:
在对电子元器件涂布外电极前对其表面进行等离子改性处理,在电子元器件表面沉积生成均匀的SiOx膜层,使电子元器件表面获得一定疏水性能,所述电子元器件尤其是多端子片式元器件。
10.如权利要求9所述的表面处理方法,其特征在于,所述等离子改性处理包括:使用传送带使电子元器件通过放置在真空室中的靶材且不与所述靶材接触,并加载单体HMDSO和作为载体的氩气,所述靶材设置为-1000~-2600V的负电压,所述传送带设置为-100~-600V的负电压,处理过程中通入反应气体,所述反应气体、所述氩气及所述单体HMDSO在电场的作用下电离形成等离子,所述单体HMDSO与所述等离子中的高能粒子碰撞,形成活性自由基和聚合Si-O-Si前驱物,从而在电子元器件表面沉积生成均匀的SiOx膜层。
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