[发明专利]一种利用斜蒸发加工薄膜结构的方法

权利要求书

1.一种利用斜蒸发加工薄膜结构的方法，其特征在于，包括如下步骤：

清洗步骤，清洗带有微纳柱结构的基片；

覆胶步骤，在经过清洗步骤的基片上旋涂一层能通过低剂量电子束进行曝光的光刻胶Ⅰ，然后进行烘烤使光刻胶Ⅰ覆在基片表面，然后再旋涂一层能通过高剂量电子束进行曝光的光刻胶Ⅱ，然后进行烘烤使光刻胶Ⅱ覆在光刻胶Ⅰ表面；

曝光步骤，通过控制电子束的剂量对经过覆胶步骤后的基片上的光刻胶Ⅰ和光刻胶Ⅱ按照设计形状进行曝光形成掩膜结构图形，掩膜结构图形中间位置采用高剂量电子束进行曝光，使得中间位置的光刻胶Ⅰ和光刻胶Ⅱ均被曝光，靠近基片的微纳柱结构侧壁的位置则采用低剂量电子束进行曝光，仅有下层的光刻胶Ⅰ被曝光去除掉，而上层光刻胶Ⅱ形成悬胶结构阻挡层；

显影步骤，将经过曝光步骤的基片放入显影液中进行显影，在曝光步骤中被高剂量电子束曝光过的光刻胶Ⅰ和光刻胶Ⅱ以及被低剂量电子束曝光过的光刻胶Ⅰ部分被显影液溶解，使基片上的光刻胶Ⅰ和光刻胶Ⅱ按照掩膜结构图形显影出图像窗口，图像窗口底部露出基片上表面；

镀膜步骤，将经过显影步骤的基片贴在蒸镀盘上，用电子束蒸发或者热蒸发蒸镀的方法、通过基片的图像窗口处根据需求向基片的微纳柱结构镀上薄膜材料，且镀膜过程中电子束与基片的上表面之间形成0~90°的夹角；

剥离步骤，将经过蒸发步骤的基片在剥离液中剥离剩余的光刻胶Ⅰ和光刻胶Ⅱ及镀膜步骤中附在光刻胶Ⅰ和光刻胶Ⅱ上的薄膜材料，仅留下附着在微纳柱上的薄膜结构。

2.如权利要求1所述的一种利用斜蒸发加工薄膜结构的方法，其特征在于：所述基片为加工有方形微纳柱结构的Si/SiO₂基片。

3.如权利要求1所述的一种利用斜蒸发加工薄膜结构的方法，其特征在于：所述清洗步骤中，清洗基片是依次使用丙酮、异丙醇和去离子水在超声波状态下分别清洗5min。

4.如权利要求1所述的一种利用斜蒸发加工薄膜结构的方法，其特征在于：覆胶步骤中，所述光刻胶Ⅰ和光刻胶Ⅱ在经过各自对应剂量的电子束曝光后，可以被相同的显影液溶解完成显影。

5.如权利要求1所述的一种利用斜蒸发加工薄膜结构的方法，其特征在于：所述光刻胶Ⅰ为PMMA/MAA混合电子束光刻胶，光刻胶Ⅱ为PMMA电子束光刻胶。

6.如权利要求1所述的一种利用斜蒸发加工薄膜结构的方法，其特征在于：所述剥离液为丙酮。

7.如权利要求1所述的一种利用斜蒸发加工薄膜结构的方法，其特征在于：所述剥离步骤中，将经过蒸发步骤的基片在剥离液中静置4小时以上剥离掉掩膜结构。