[发明专利]清洗方法及清洗设备

说明书

本发明提供一种清洗方法及清洗设备，该清洗方法包括：第一清洗步骤，用于去除晶片表面的氧化膜；第二清洗步骤，用于去除在晶片表面残留的反应产物和废液，并在晶片表面上形成液膜；第三清洗步骤，分为多个清洗阶段，每个清洗阶段所采用的晶片转速不同，同时各个清洗阶段采用预设的清洗液体的流量，以减少晶片表面的水痕和颗粒。本发明提供的清洗方法，其不仅可以有效减少晶片表面水痕和颗粒，改善清洗效果，而且还可以提高工艺安全性，降低成本。

技术领域

本发明涉及半导体工艺领域，具体地，涉及一种清洗方法及清洗设备。

背景技术

在半导体工艺制程中，DHF(稀氟氢酸)工艺应用范围广泛，主要应用于外延工艺等，DHF能够去除硅片表面的氧化层，但是裸露出的硅片表面为疏水界面，疏水界面的张力大易产生水痕和颗粒，为了解决该问题，通过利用异丙醇(iso-Propyl alcohol，IPA)药液来减少硅片表面上的水痕和颗粒的产生。

目前IPA工艺主要应用在槽式清洗机中，现有的槽式清洗机首先是把IPA药液加热至82.7℃，药液达到该温度后会气化，然后再使它直接落在硅片上，使硅片得以清洗干净。

但是，上述清洗方式无法有效解决晶片表面水痕和颗粒的问题，清洗效果较差。

发明内容

本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提出了一种清洗方法及清洗设备，其不仅可以有效减少晶片表面水痕和颗粒，改善清洗效果，而且还可以提高工艺安全性，降低成本。

为实现本发明的目的而提供一种清洗方法，包括：

第一清洗步骤，用于去除晶片表面的氧化膜；

第二清洗步骤，用于去除在所述晶片表面残留的反应产物和废液，并在所述晶片表面上形成液膜；

第三清洗步骤，分为多个清洗阶段，每个所述清洗阶段所采用的晶片转速不同，同时各个所述清洗阶段采用预设的清洗液体的流量，以减少所述晶片表面的水痕和颗粒。

可选的，多个所述清洗阶段所采用的所述晶片转速按时间的先后顺序逐渐提高。

可选的，所述第三清洗步骤分为三个清洗阶段，分别为第一清洗阶段、第二清洗阶段和第三清洗阶段，其中，

所述第二清洗阶段采用的晶片转速是所述第一清洗阶段采用的晶片转速的5-8倍；

所述第三清洗阶段采用的晶片转速是所述第二清洗阶段采用的晶片转速的8-24倍。

可选的，所述第一清洗阶段采用的晶片转速的取值范围在10-30rpm/min；所述第二清洗阶段采用的晶片转速的取值范围在50-100rpm/min；所述第三清洗阶段采用的晶片转速的取值范围在800-1200rpm/min。

可选的，所述第一清洗阶段、第二清洗阶段和第三清洗阶段的工艺时间比例为1:2:1。

可选的，所述第一清洗阶段的工艺时间的取值范围在2-6s；所述第二清洗阶段的工艺时间的取值范围在4-12s；所述第三清洗阶段的工艺时间的取值范围在2-6s。

可选的，每个所述清洗阶段采用的所述清洗液体的流量相同。

可选的，所述清洗液体的流量的取值范围在0.1-0.3L/min。

可选的，在所述第三清洗步骤之后，还包括：

干燥步骤，用于干燥所述晶片表面。

可选的，在所述第三清洗步骤中，所述清洗液体包括IPA药液。