[发明专利]二维Ga1-x

权利要求书

1.一种二维Ga_1-xIn_xSe合金的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：

步骤一、将硒粉和铟镓共熔合金放入石英舟中，然后将石英舟放入管式炉并将管式炉抽真空，并通入保护气体，一次升温后进行一次保温一段时间，然后二次升温，再二次保温一段时间，降温至室温，制得块体Ga_1-xIn_xSe合金材料；

步骤二、将SiO₂/Si基底进行预处理；步骤三、用透明胶带反复粘贴块体Ga_1-xIn_xSe合金材料，然后将透明胶带粘贴在经步骤一处理后的SiO₂/Si基底上，撕去透明胶带后，将SiO₂/Si基底浸泡在丙酮中，取出SiO₂/Si基底即可在其表面获得随机分布的二维Ga_1-xIn_xSe合金；

步骤一中所述一次升温及二次升温的升温速度均为20-40℃/min；步骤一中所述一次升温，升温至300℃；所述一次保温，保温时间为60-120min；步骤一中所述二次升温，升温至960℃；所述二次保温，保持时间为120-180min；步骤一中所述降温，降温速度为50-100℃/min。

2.根据权利要求1所述的二维Ga_1-xIn_xSe合金的制备方法，其特征在于：所述铟镓共熔合金中，镓质量为镓、铟质量之和的75.5％，铟质量为镓、铟质量之和的24.5％。

3.根据权利要求1所述的二维Ga_1-xIn_xSe合金的制备方法，其特征在于：步骤一中硒的物质的量和铟、镓的物质的量之和的比为(1.1-1.2):1。

4.根据权利要求1所述的二维Ga_1-xIn_xSe合金的制备方法，其特征在于：所述保护气体为氩气，步骤一中Ar的流量为20-100sccm；步骤一中抽真空真空度为50-100Torr。

5.根据权利要求1所述的二维Ga_1-xIn_xSe合金的制备方法，其特征在于：步骤二中，所述SiO₂/Si基底厚度为300nm；所述SiO₂/Si基底预处理方法具体为：将SiO₂/Si基底浸泡在浓硫酸/双氧水混合溶液中，然后取出，依次浸入异丙醇、丙酮、乙醇和超纯水中超声处理，用氮气吹干，待用；所述浸泡，温度为83℃，浸泡时间为20-40min；所述浓硫酸/双氧水混合溶液，其中浓硫酸为质量分数97％以上的硫酸水溶液，双氧水为质量分数35％的过氧化氢水溶液，所述混合溶液中，浓硫酸与双氧水的体积比为3:1。

6.根据权利要求1所述的二维Ga_1-xIn_xSe合金的制备方法，其特征在于：步骤三中，所述反复粘贴块体Ga_1-xIn_xSe合金材料，指将透明胶带粘贴在块体Ga_1-xIn_xSe合金材料表面，然后将透明胶带取下，重复上述操作4-9次，每次粘贴操作使用透明胶带的位置相同；所述将透明胶带粘贴在经步骤一处理后的SiO₂/Si基底上，粘贴时间为5～12小时；所述将SiO₂/Si基底浸泡在丙酮中，浸泡时间为2～4小时。

7.一种利用权利要求1-6任一项所述二维Ga_1-xIn_xSe合金的制备方法制备的二维Ga_1-xIn_xSe合金。