[发明专利]一种MOS管的阈值电压检测方法

权利要求书

1.一种MOS管的阈值电压检测方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤S1、提供一测试仪器，将所述测试仪器接地放电；

步骤S2、将一MOS管与所述测试仪器电性连接；

步骤S3、将所述MOS管的基极接地，向所述MOS管的漏极施加偏压Vd；

步骤S4、向所述MOS管的栅极按一定步进施加电压Vg_i，同时测试所述MOS管的所述漏极的电流Id_i；

步骤S5、根据Vg_i和Id_i，采用最小二乘法拟合，得到跨导值-电流曲线，并根据所述跨导值-电流曲线处理得到所述MOS管的阈值电压Vt；

其中，i＝1、2、……、n，n为大于1的正整数。

2.根据权利要求1所述的MOS管的阈值电压检测方法，其特征在于，在所述步骤S2中，所述测试仪器包括第一源测量单元、第二源测量单元和第三源测量单元，所述MOS管的漏极与所述第一源测量单元电性连接，所述MOS管的栅极与所述第二源测量单元电性连接，所述MOS管的基极与所述第三源测量单元电性连接。

3.根据权利要求1所述的MOS管的阈值电压检测方法，其特征在于，n为大于3的正整数。

4.根据权利要求1或3任一所述的MOS管的阈值电压检测方法，其特征在于，在所述步骤S5中，Gm-Id曲线的公式为Id(Vg)＝a₀+a₁Vg；

其中，a₀和a₁满足并且F(a₀,a₁)的值最小。

5.根据权利要求4所述的MOS管的阈值电压检测方法，其特征在于，a₀和a₁的计算公式如下：

6.根据权利要求1所述的MOS管的阈值电压检测方法，其特征在于，在所述步骤S5中，根据所述跨导值-电流曲线，计算得到跨导值的最大值，并根据所述跨导值的最大值计算阈值电压Vt。

7.根据权利要求1所述的MOS管的阈值电压检测方法，其特征在于，在所述步骤S5中，采用最小二乘法，对相邻的至少三个数值点(Vg_i，Id_i)进行拟合。