[发明专利]内容寻址存储器、数据处理方法及网络设备有效
| 申请号: | 201811281043.6 | 申请日: | 2018-10-30 |
| 公开(公告)号: | CN111128278B | 公开(公告)日: | 2021-08-27 |
| 发明(设计)人: | 喻径舟;王临春 | 申请(专利权)人: | 华为技术有限公司 |
| 主分类号: | G11C15/04 | 分类号: | G11C15/04 |
| 代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
| 地址: | 518129 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 内容 寻址 存储器 数据处理 方法 网络设备 | ||
本申请公开CAM、数据处理方法及网络设备,涉及存储技术领域,可解决现有的CAM面积较大,进而功耗较大的问题。该CAM包括:M行N列bit单元,每个bit单元包括第一FeFET和第二FeFET,第一FeFET的源极连接第二FeFET的漏极,第二FeFET的源极接地,同一列bit单元对应同一匹配线;位于同一列的每个bit单元中的第一FeFET的漏极均连接该列对应的匹配线。同一行bit单元对应同一第一位线和同一第二位线,位于同一行的每个bit单元中的第一FeFET的栅极均连接该行对应的第一位线,位于同一行的每个bit单元中的第二FeFET的栅极均连接该行对应的第二位线。该CAM可应用在路由器等网络设备中。
技术领域
本申请涉及存储技术领域,尤其涉及内容寻址存储器、数据处理方法及网络设备。
背景技术
内容寻址存储器(content addressable memory,CAM)是网络设备的重要物理器件,一种典型的CAM为三态内容寻址存储器(ternary content addressable memory,TCAM)主要用于快速查找访问控制列表(access control list,ACL)、路由表等表项。
如图1所示,传统的基于(metal oxide semiconductor,MOS)管的TCAM,每一个位(bit)单元由16个晶体管(transistor,T)构成,其中12T用于存储数值和掩码,4T用于做比较。搜索线(search line,SL)用来输入匹配值(key),匹配线(match line,ML)用来返回匹配结果。该传统TCAM阵列中每一行代表一个表项,查找数据时,先把每一行的ML都充到高电位。每一列的SL输入key的一个bit,将该bit的值与TCAM表项中的值比较,所有表项同时进行匹配。如果某一行中的所有bit都匹配成功,ML保持高电位。如果该行中有任意bit不匹配,则该行的ML泄漏到低电平。通过判定ML的高低电位,来判定匹配结果。
由于传统的基于MOS管的TCAM每个bit单元需要16T,因此TCAM的面积较大,随之带来的是TCAM的功耗较大,越大尺寸的TCAM的功耗越为严重。
发明内容
本申请实施例提供的内容寻址存储器、数据处理方法及网络设备,能够减小CAM的尺寸,进而减少CAM的功耗。
第一方面,本申请实施例提供一种内容寻址存储器CAM,包括:M行N列bit单元,该M和N均为大于等于1的正整数;每个bit单元包括第一铁电场效应晶体管(ferro-electricfield effect transistor,FeFET)和第二FeFET。该第一FeFET的源极连接该第二FeFET的漏极,该第二FeFET的源极接地。
CAM通常由多行多列bit单元组成,其中,可以是CAM的一行bit单元中存储的数据组成一个表项,也可以是CAM的一列bit单元中存储的数据组成一个表项,这两种方式下CAM的结构不同。
结构一:CAM的一列bit单元中存储的数据组成一个表项。那么,同一列bit单元对应同一匹配线;位于同一列的每个bit单元中的第一FeFET的漏极均连接该列对应的匹配线;同一行bit单元对应同一第一位线和同一第二位线,位于同一行的每个bit单元中的第一FeFET的栅极均连接该行对应的第一位线,位于同一行的每个bit单元中的第二FeFET的栅极均连接该行对应的第二位线。
结构二:CAM的一行bit单元中存储的数据组成一个表项。那么,同一行bit单元对应同一匹配线;位于同一行的每个bit单元中的第一FeFET的漏极均连接该行对应的匹配线;同一列bit单元对应同一第一位线和同一第二位线,位于同一列的每个bit单元中的第一FeFET的栅极均连接该列对应的第一位线,位于同一列的每个bit单元中的第二FeFET的栅极均连接该列对应的第二位线。
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