[发明专利]半导体封装结构及其制作方法在审

专利信息
申请号: 201811254743.6 申请日: 2018-10-26
公开(公告)号: CN111106096A 公开(公告)日: 2020-05-05
发明(设计)人: 胡竹青;许诗滨;许哲玮 申请(专利权)人: 凤凰先驱股份有限公司
主分类号: H01L25/065 分类号: H01L25/065;H01L23/367;H01L23/31;H01L21/50
代理公司: 北京汇智英财专利代理事务所(普通合伙) 11301 代理人: 唐轶
地址: 开曼群岛KY1-1205大开曼*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 半导体 封装 结构 及其 制作方法
【权利要求书】:

1.一种半导体封装结构,其特征在于,包括:

一线路增层基板,包括相对的一第一表面及一第二表面,该第一表面暴露出多个覆晶焊垫及多个第一焊垫,该第二表面暴露出多个第二焊垫;

一芯片,包括相对的一第一面及一第二面,以该第一面面对于该线路增层基板的该第一表面,而与这些覆晶焊垫电性连接;

多个导电柱,具有相对的第一端及第二端,设置于该线路增层基板的该第一表面,并以第二端与对应的这些第一焊垫分别电性连接;

一模封层,设置于该线路增层基板的该第一表面上,而覆盖该芯片及这些导电柱,该芯片的该第二面及各导电柱的一第一端是暴露于该模封层;以及

至少一内存模块,设置于该模封层上,并与暴露于该模封层的对应的该导电柱的该第一端电性连接。

2.如权利要求1所述的半导体封装结构,其特征在于,还包括:

一导电黏着层,设置于这些导电柱与这些第一焊垫之间。

3.如权利要求1所述的半导体封装结构,其特征在于,还包括一散热组件,其设置于该内存模块及/或该芯片的该第二面上。

4.如权利要求1所述的半导体封装结构,其特征在于,该芯片与该内存模块于一正投影方向不重叠的。

5.如权利要求1所述的半导体封装结构,其特征在于,该线路增层基板包括至少一线路增层结构,该线路增层结构包括一导线层、一导电柱层及一介电层,该导线层及该导电柱层相互叠接,并嵌设于该介电层中。

6.如权利要求1所述的半导体封装结构,其特征在于,该线路增层基板的这些第一焊垫位于这些覆晶焊垫的周围。

7.一种半导体封装结构的制作方法,其特征在于,包括:

提供一线路增层基板,该线路增层基板包括一第一表面,且该第一表面暴露出多个覆晶焊垫及位于这些覆晶焊垫周围的多个第一焊垫;

形成一嵌埋有一芯片及多个导电柱的导电基板于该线路增层基板的该第一表面,该芯片的一第一面对应于这些覆晶焊垫设置,这些导电柱以第二端分别对应于这些第一焊垫设置,而该芯片的一第二面及各导电柱的一第一端暴露于该导电基板的一上表面;以及

将至少一内存模块对应于这些导电柱的该第一端,而设置于该导电基板上。

8.如权利要求7所述的半导体封装结构的制作方法,其特征在于,形成该嵌埋有该芯片及这些导电柱的导电基板的步骤,包括:

将这些导电柱以第二端对应于这些第一焊垫,而设置于该线路增层基板的该第一表面;

将该芯片的该第一面对应于这些覆晶焊垫,而设置于该线路增层基板的该第一表面;以及

形成一模封层于该线路增层基板的该第一表面上,以覆盖这些导电柱及该芯片,并暴露出各导电柱的该第一端及该芯片的该第二面。

9.如权利要求8所述的半导体封装结构的制作方法,其特征在于,各导电柱以第二端通过一导电黏着层而与对应的各第一焊垫电性连接。

10.如权利要求8所述的半导体封装结构的制作方法,其特征在于,设置这些导电柱的步骤,还包括:

形成一图案化光阻层于该线路增层基板的该第一表面,并形成多个盲孔以暴露这些第一焊垫;

形成一金属层于这些盲孔内及暴露的这些第一焊垫上;以及

移除该图案化光阻层,以使这些金属层形成为这些导电柱及暴露出这些覆晶焊垫。

11.如权利要求7所述的半导体封装结构的制作方法,其特征在于,形成嵌埋有该芯片及这些导电柱的导电基板的步骤,包括:

将该芯片的该第一面对应于这些覆晶焊垫,而设置于该线路增层基板的该第一表面;

形成一模封层于该线路增层基板的该第一表面上,以覆盖该芯片;

于该模封层对应于这些第一焊垫形成多个开孔;

于该开孔中形成多个导电柱与对应的这些第一焊垫电性连接;以及

使该模封层暴露出这些导电柱的该第一端及该芯片的该第二面。

12.如权利要求7所述的半导体封装结构的制作方法,其特征在于,还包括设置一散热组件于该内存模块及/或该芯片的该第二面上。

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