[发明专利]芯片内部硅片管脚信号仿真方法及装置

说明书

本发明公开一种芯片内部硅片管脚信号仿真方法及装置，获取所述芯片内部电路的TDR阻抗曲线的数据；根据所述TDR阻抗曲线的数据获得所述芯片内部电路的等效电路模型；获取需要施加到所述芯片外部管脚上的测试信号的数据；根据所述等效电路模型和所述测试信号的数据计算所述测试信号通过所述芯片内部电路传导至所述芯片内部硅片管脚的仿真波形数据。该方法提供了一种在无法获知芯片内部详细封装信息的情况下，通过信号测试系统仿真出测试信号传导至芯片内部硅片管脚的信号，进而判断信号质量是否满足设计要求。该方法很好地解决芯片内部硅片管脚信号无法直接测量的技术难点，具有极大的推广价值。

技术领域

本申请涉及信号处理领域，具体而言，涉及一种芯片内部硅片管脚信号仿真方法及装置。

背景技术

在电路设计中，时常需要根据芯片管脚获取的信号质量来判断设计的电路实际是否合格。如图1所示，实际对信号进行处理的芯片内部硅片300的管脚和芯片外部管脚303之间会有一段芯片内部电路的封装。有些芯片封装的芯片内部电路301很长，有的甚至超过1英寸，信号从芯片外部管脚303经过芯片内部电路301上传导至芯片内部硅片300的管脚时，该段内部的电路上的电感、电容或者电阻会对信号的传导过程产生一定的影响，导致测得的PCB基板302上的芯片外部管脚303上的信号并不能真实反映芯片内部管脚上的信号质量。从而对电路的设计带来了一定困难。为了仿真出芯片内部硅片管脚接收到的信号，现有的技术IBIS(IBIS，Input/Output Buffer Information Specification)采用I/V和V/t表的形式来描述数字集成电路I/O单元和引脚的特性。但是利用IBIS模型对芯片信号质量进行仿真，在无法获得芯片封装信息时，导致仿真结果无法推断芯片内部信号正确性。

发明内容

为了克服现有技术中的上述不足，本申请的目的在于提供一种芯片内部硅片管脚信号仿真方法，应用于信号测试系统，所述芯片内部硅片管脚通过芯片内部电路和芯片外部管脚连接，所述方法包括：

获取所述芯片内部电路的TDR阻抗曲线的数据；

根据所述TDR阻抗曲线的数据获得所述芯片内部电路的等效电路模型；

获取需要施加到所述芯片外部管脚上的测试信号的数据；

根据所述等效电路模型和所述测试信号的数据计算计算所述测试信号通过所述芯片内部电路传导至所述芯片内部硅片管脚的仿真波形数据。

可选地，所述信号测试系统包括TDR测试仪器；所述获取所述芯片内部电路的TDR阻抗曲线的数据的步骤包括：

通过所述TDR测试仪器向所述芯片外部管脚发送测试信号；

通过所述TDR测试仪器从所述芯片外部管脚上接收所述测试信号经所述芯片内部电路产生的反射信号，并根据所述反射信号获得所述芯片内部电路的TDR阻抗曲线的数据。

可选地，所述根据所述等效电路模型和所述测试信号的数据计算获得所述测试信号通过所述芯片内部电路传导至所述芯片内部硅片管脚的仿真波形数据的步骤包括：

获取信号测试系统预设的仿真精度，所述仿真精度用于表示所述信号测试系统仿真时的时间精度；

获取所述芯片内部的等效电路模型的传输延时参数；

根据所述芯片内部电路的等效电路模型、所述测试信号的波形数据、所述预设仿真精度和所述传输延时参数，计算所述测试信号通过所述芯片内部电路传导至所述芯片内部硅片管脚的仿真波形数据。

可选地，所述获取所述芯片内部的等效电路模型的传输延时参数的步骤包括：

根据所述TDR阻抗曲线的数据，计算所述等效电路模型的传输延时参数。