[发明专利]芯片内部硅片管脚信号仿真方法及装置

权利要求书

1.一种芯片内部硅片管脚信号仿真方法，其特征在于，应用于信号测试系统，所述信号测试系统包括TDR测试仪器、信号采集装置和信号发生芯片，所述芯片内部硅片管脚通过芯片内部电路和芯片外部管脚连接，所述方法包括：

通过所述TDR测试仪器获取所述芯片内部电路的TDR阻抗曲线的数据；

根据所述TDR阻抗曲线的数据获得所述芯片内部电路的等效电路模型；

通过所述信号采集装置和所述信号发生芯片获取需要施加到所述芯片外部管脚上的测试信号的数据；

获取信号测试系统预设的仿真精度以及所述等效电路模型的传输延时参数，所述仿真精度用于表示所述信号测试系统仿真时的时间精度；

根据所述芯片内部电路的等效电路模型，获取所述等效电路模型节点数量，其中，所述节点表示所述等效电路模型中阻抗发生变化的位置；

根据所述阻抗曲线的数据随时间的变化关系，获取所述测试信号传导至每个节点的时间；

根据所述测试信号传导至每个节点的时间，依次计算所述测试信号传导至各节点时产生的仿真波形数据。

2.根据权利要求1所述的芯片内部硅片管脚信号仿真方法，其特征在于，所述通过所述TDR测试仪器获取所述芯片内部电路的TDR阻抗曲线的数据的步骤包括：

通过所述TDR测试仪器向所述芯片外部管脚发送所述测试信号；

通过所述TDR测试仪器从所述芯片外部管脚上接收所述测试信号经所述芯片内部电路产生的反射信号，并根据所述反射信号获得所述芯片内部电路的TDR阻抗曲线的数据。

3.根据权利要求2所述的芯片内部硅片管脚信号仿真方法，其特征在于，所述信号测试系统包括用于模拟信号接收芯片真实工作环境的信号接收测量工装，所述信号接收测量工装包括第一电路板、第一测试芯片区、接收端测试点、第一地平面亮铜区和信号接收芯片。

4.根据权利要求1所述的芯片内部硅片管脚信号仿真方法，其特征在于，所述获取所述芯片内部的等效电路模型的传输延时参数的步骤包括：

根据所述TDR阻抗曲线的数据，计算所述等效电路模型的传输延时参数。

5.根据权利要求1所述的芯片内部硅片管脚信号仿真方法，其特征在于，所述根据所述测试信号传导至每个节点的时间，依次计算测试信号经过的节点的仿真波形数据的步骤包括：

根据所述测试信号传导至每个节点的时间，依次将测试信号传导至的节点作为目标节点；

计算所述目标节点在测试信号的作用下的仿真波形数据；

判断沿所述测试信号传导方向上的最后一个节点的反射波是否传导至所述目标节点；

如果所述最后一个节点的反射波传导至所述目标节点，将传导至的反射波形数据和所述目标节点的仿真波形数据叠加。

6.根据权利要求1所述的芯片内部硅片管脚信号仿真方法，其特征在于，所述通过所述信号采集装置和所述信号发生芯片获取需要施加到所述芯片外部管脚上的测试信号的数据的步骤包括：

通过所述信号发生芯片发送预设的测试信号，所述测试信号经所述信号采集装置的探头进入所述信号采集装置内部；

通过所述信号采集装置对所述测试信号进行采样。

7.根据权利要求6所述的芯片内部硅片管脚信号仿真方法，其特征在于，所述信号发生芯片是信号发生测量工装的一部分，所述信号发生测量工装用于模拟信号发生芯片的真实工作环境，所述信号发生测量工装包括第二电路板、第二测试芯片区、发送端测试点、电源、时钟、复位电路、调试电路、第二地平面亮铜区和信号发生芯片。

8.一种芯片内部硅片管脚信号仿真装置，其特征在于，应用于信号测试系统，所述信号测试系统包括TDR测试仪器、信号采集装置和信号发生芯片，所述装置包括TDR阻抗曲线获取模块、芯片内部电路等效模型获取模块、测试信号获取模块和芯片内部硅片管脚仿真信号波形计算模块；

所述TDR阻抗曲线获取模块用于通过所述TDR测试仪器获取芯片内部电路的TDR阻抗曲线；

所述芯片内部电路等效模型获取模块用于根据所述TDR阻抗曲线的数据获得所述芯片内部电路等效电路模型；

所述测试信号获取模块用于通过所述信号采集装置和所述信号发生芯片获取需要施加到所述芯片外部管脚上的测试信号的数据；

仿真计算模块用于获取信号测试系统预设的仿真精度以及所述等效电路模型的传输延时参数，所述仿真精度用于表示所述信号测试系统仿真时的时间精度；

根据所述芯片内部电路的等效电路模型，获取所述等效电路模型节点数量，其中，所述节点表示所述等效电路模型中阻抗发生变化的位置；

根据所述阻抗曲线的数据随时间的变化关系，获取所述测试信号传导至每个节点的时间；

根据所述测试信号传导至每个节点的时间，依次计算所述测试信号传导至各节点时产生的仿真波形数据。