[发明专利]摄像装置有效
| 申请号: | 201811241434.5 | 申请日: | 2014-06-25 |
| 公开(公告)号: | CN109728014B | 公开(公告)日: | 2022-11-18 |
| 发明(设计)人: | 朝妻智彦 | 申请(专利权)人: | 索尼公司 |
| 主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
| 代理公司: | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人: | 李晗;曹正建 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 摄像 装置 | ||
能够使用具有较简单构造的相位差像素(2B)获得高度的相位差检测精度。固态摄像装置包括像素阵列单元,在像素阵列单元中,包括作为焦点检测用像素的相位差像素(2B)和作为图像生成用像素的摄像像素(2A)的多个像素布置成二维阵列。在这种情况下,形成在摄像像素中的位于遮光层(47)和微透镜(52)之间的预定层(50)的折射率比形成在相位差像素中的预定层(51)的折射率。例如,本发明的技术可以应用至背侧照射型固态摄像装置等。
本申请是申请日为2014年6月25日、发明名称为“固态摄像装置及其制造方法与电子设备”的申请号为201480023244.X专利申请的分案申请。
技术领域
本发明涉及固态摄像装置、固态摄像装置的制造方法以及电子设备,且更具体地涉及能够使用具有更简单构造的相位差像素来获得高度的相位差检测精度的固态摄像装置、固态摄像装置的制造方法以及电子设备。
相关申请的交叉引用
本申请包含于2013年7月3日向日本专利局提交的日本在先专利申请JP 2013-139832的公开内容相关的主题,在这里将该在先申请的全部内容以引用的方式并入本文。
背景技术
存在如下一种固态摄像装置,在该固态摄像装置中,具有以二维方式布置成阵列形式的多个像素的像素阵列单元不仅包括图像生成用普通像素(在下文中称为摄像像素),还包括焦点检测用相位差像素。
为了使用相位差像素来获得高度的相位差检测精度,灵敏度需要高度地依赖于角度,使得相位差像素仅接收期望角度的入射光并且生成相关的输出。为了制造具有高度地依赖于角度的灵敏度的相位差像素,最有效的方式是增加相位差像素的层间膜的膜厚度(制造更厚的膜)。
然而,当简单地制造更厚的层间膜时,摄像像素也被制造成更厚的膜,并因此,摄像像素将具有较差的倾斜入射特性。更具体地,尽管期望摄像像素接收来自入射角度大的倾斜方向的光,但是当膜的厚度增加时,来自倾斜方向的光可能未被接收,并且灵敏度降低。
因此,已提出通过采用不同于摄像像素结构的相位差像素结构来提高相位差像素的检测精度的固态摄像装置。例如,专利文献1披露了一种通过在相位差像素中形成层中透镜并在层中透镜下方嵌入高折射率层来制造不同于摄像像素结构的相位差像素结构。
另一方面,专利文献2披露了一种改变摄像像素结构的概念。更具体地,针对摄像像素设置层间透镜和光导,使得在抑制摄像像素的特性劣化的同时,使相位差像素最佳化,由此提高了相位差像素的检测精度。
为了使用相位差像素获得高度的相位差检测精度,用于光瞳分裂(pupil-splitting)的遮光层起到重要作用。因此,专利文献3披露了一种通过使相位差像素的最上层的布线层的孔径宽度小于摄像像素的孔径宽度以协助遮光层的固态摄像装置。
引用列表
专利文献
专利文献1:JP 2012-151367 A
专利文献2:JP 2008-71972 A
专利文献3:JP 2012-173492 A
发明内容
技术问题
然而,在专利文献1披露的技术中,波前(wave front)急剧弯曲,且这可增加光接收单元处的反射损失。在专利文献2披露的技术中,摄像像素设置有层间透镜和光导,且这可极大地增加制造步骤的数量。同样地,在实现专利文献3披露的技术时,需要至少两层的布线,因此,特别地,当将其应用于背侧照射型型固态摄像装置时,这可极大地增加制造步骤的数量。
鉴于这种情况作出本发明,并且本发明使用具有较简单构造的相位差像素来获得高度的相位差检测精度。
技术方案
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于索尼公司,未经索尼公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201811241434.5/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:图像传感器
- 下一篇:具有减少的建立时间的图像传感器
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





