[发明专利]一种硅片的钝化方法在审
| 申请号： | 201811212330.1 | 申请日： | 2018-10-17 |
| 公开（公告）号： | CN109524502A | 公开（公告）日： | 2019-03-26 |
| 发明（设计）人： | 李超;黄明;孟少东;汤洁;徐昆 | 申请（专利权）人： | 江西展宇新能源股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 赵青朵 |
| 地址： | 334100 江*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 硅片 钝化 表面钝化 氮气 耐高压容器 混合气体 硅电池 漏电流 刻蚀 气压 制备 氧气 | ||
【权利要求书】：
1.一种硅片的钝化方法，包括：
将经过刻蚀的硅片置于耐高压容器中，通入氧气和氮气的混合气体至容器内气压为15～50个大气压，并升温至350～450℃反应，得到表面钝化的硅片。
2.根据权利要求1所述的钝化方法，其特征在于，所述刻蚀的硅片为刻蚀的黑硅片。
3.根据权利要求1所述的钝化方法，其特征在于，所述氮气和氧气的混合气体中氮气与氧气的体积为(1～4)∶1。
4.根据权利要求1所述的钝化方法，其特征在于，所述氮气和氧气的混合气体中氮气与氧气的体积为(2～3)∶1。
5.根据权利要求1所述的钝化方法，其特征在于，所述容器的气压为20～40个大气压。
6.根据权利要求1所述的钝化方法，其特征在于，所述反应的温度为400～425℃。
7.一种硅电池的制备方法，包括：按照权利要求1～6任意一项所述的硅片的钝化方法钝化得到表面钝化的硅片；然后对表面钝化的硅片进行PECVD镀膜，正反面电极进行丝网印刷，烧结，得到硅电池。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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