[发明专利]基于IGZO技术的多路分配器的电路结构及其制作方法

权利要求书

1.一种基于IGZO技术的多路分配器的电路结构，包括多路分配器的玻璃层、第一金属层、第一绝缘层、半导体层、第二绝缘层、第二金属层、第三绝缘层和平坦层；所述第一金属层、第一绝缘层、半导体层和第二绝缘层依次设置在玻璃层表面，所述第二绝缘层上设有至少两个的第一过孔，所述第二金属层填充于所述第一过孔中且与半导体层接触，所述第三绝缘层一侧面与第二金属层表面和第二绝缘层表面接触，所述第三绝缘层另一侧面与平坦层接触，其特征在于，还包括第三金属层，所述平坦层上设有至少一个的第二过孔，所述第三金属层分别与所述第三绝缘层另一侧面、第二过孔的孔壁表面和平坦层表面接触。

2.根据权利要求1所述的基于IGZO技术的多路分配器的电路结构，其特征在于，所述第一过孔和第二过孔的个数比为2:1。

3.根据权利要求1所述的基于IGZO技术的多路分配器的电路结构，其特征在于，所述半导体层的氧化物介质为IGZO。

4.根据权利要求1所述的基于IGZO技术的多路分配器的电路结构，其特征在于，在电路结构的竖直方向上，所述第一过孔对应半导体层位置设置。

5.根据权利要求1所述的基于IGZO技术的多路分配器的电路结构，其特征在于，在电路结构的水平方向上，所述第二过孔位于两个第一过孔之间。

6.一种权利要求1所述的基于IGZO技术的多路分配器的电路结构的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1、提供一多路分配器的玻璃层，且在所述玻璃层上覆盖一第一金属层；

S2、形成一第一绝缘层，且覆盖于第一金属层表面；

S3、形成一半导体层，且覆盖于第一绝缘层表面；

S4、形成一第二绝缘层，且覆盖于半导体层表面；

S5、于所述第二绝缘层中形成至少两个的第一过孔，在第一过孔中形成第二金属层，且第二金属层与半导体层接触；

S6、形成一第三绝缘层，所述第三绝缘层覆盖于第二金属层表面和第二绝缘层表面；

S7、于所述第三绝缘层表面形成一平坦层，于所述平坦层上形成至少一个的第二过孔；

S8、形成一第三金属层，所述第三金属层分别与所述第三绝缘层另一侧面、第二过孔的孔壁表面和平坦层表面接触。

7.根据权利要求6所述的基于IGZO技术的多路分配器的电路结构的制作方法，其特征在于，所述第一过孔和第二过孔的个数比为2:1。

8.根据权利要求6所述的基于IGZO技术的多路分配器的电路结构的制作方法，其特征在于，所述半导体层的氧化物介质为IGZO。

9.根据权利要求6所述的基于IGZO技术的多路分配器的电路结构的制作方法，其特征在于，在电路结构的竖直方向上，所述第一过孔对应半导体层位置设置。

10.根据权利要求6所述的基于IGZO技术的多路分配器的电路结构的制作方法，其特征在于，在电路结构的水平方向上，所述第二过孔位于两个第一过孔之间。