[发明专利]半导体器件及其形成方法

说明书

本发明实施例提供一种半导体器件及其形成方法。提供第一衬底，第一衬底具有在其中的导电特征、导电特征上方的金属凸块以及金属凸块旁的钝化堆叠。于金属凸块和钝化堆叠上方形成第一绝缘层。执行第一图案化工艺和第二图案化工艺以在第一绝缘层中形成第一开口图案和第二开口图案。第二图案化工艺裸露出金属凸块。提供第二衬底，第二衬底具有在其上的第二绝缘层。在第二绝缘层和第一绝缘层面对彼此的情况下将第二衬底结合到第一衬底，以使得第二绝缘层填充第一绝缘层的第一开口图案和第二开口图案。移除第一绝缘层和部分钝化堆叠。

技术领域

本发明实施例是涉及一种半导体器件及其形成方法。

背景技术

半导体集成电路(integrated circuit；IC)产业已经历快速发展。IC材料和设计的技术进展已生产数代IC，并且每一代具有比前一代更小且更复杂的电路。然而，这些进展已经提高了加工和制造IC的复杂度，且对于这些待实现的进展，需要IC加工和制造的类似发展。虽然现有半导体器件及其形成方法一般已足够用于其预期目的，但是其并非在所有方面完全令人满意。

发明内容

根据本发明的一些实施例，一种形成半导体器件的方法包括以下操作。提供第一衬底，第一衬底具有在其中的导电特征、导电特征上方的金属凸块以及金属凸块旁的钝化堆叠。于金属凸块和钝化堆叠上方形成第一绝缘层。执行第一图案化工艺和第二图案化工艺以在第一绝缘层中形成第一开口图案和第二开口图案。第二图案化工艺裸露出金属凸块。提供第二衬底，第二衬底具有在其上的第二绝缘层。在第二绝缘层和第一绝缘层面对彼此的情况下将第二衬底结合到第一衬底，以使得第二绝缘层填充第一绝缘层的第一开口图案和第二开口图案。移除第一绝缘层和部分钝化堆叠。

附图说明

当结合附图阅读时，根据以下详细描述最好地理解本公开的各方面。应注意，根据行业中的标准惯例，各种特征未按比例绘制。实际上，为了论述清楚起见，可任意增加或减小各种特征的关键尺寸。

图1A到图1M是根据一些实施例所示出的形成半导体器件的方法的示意性截面视图。

图2是根据一些实施例所示出的形成半导体器件的方法的一阶段的简化俯视图。

图3是根据替代实施例所示出的形成半导体器件的方法的一阶段的简化俯视图。

图4是根据其它替代实施例所示出的形成半导体器件的方法的一阶段的简化俯视图。

图5是根据另外替代实施例所示出的形成半导体器件的方法的一阶段的简化俯视图。

具体实施方式

以下公开内容提供用于实施所提供主题的不同特征的许多不同实施例或实例。下文描述组件和布置的特定实例以简化本公开内容。当然，这些组件和布置只是实例且并不意欲为限制性的。举例来说，在以下描述中，第二特征在第一特征上方或上的形成可包含第二特征和第一特征直接接触地形成的实施例，且还可包含额外特征可在第二特征与第一特征之间形成使得第二特征和第一特征可不直接接触的实施例。另外，本公开可以在各种实例中重复图式元件符号和/或字母。这种重复是出于简化和清楚的目的，且本身并不指示所论述的各种实施方案和/或配置之间的关系。

另外，为易于描述，例如“在……下方”、“在……下”、“下部”、“在……上(on)”、“在……上方”、“上覆”、“在……上(above)”、“上部”等等的空间相对术语在本文中可用于描述如图式中所说明的一个元件或特征与另一(一些)元件或特征的关系。除图式中所描绘的定向之外，空间相对术语意图涵盖器件在使用或操作中的不同定向。设备可以其它方式定向(旋转90度或处于其它定向)，且本文中所使用的空间相对描述词同样可相应地进行解释。

图1A到图1M是根据一些实施例的形成半导体器件的方法的示意性截面视图。