[发明专利]一种激光选区熔化制备TiAl/TC4微叠层复合材料的方法在审
| 申请号: | 201811197105.5 | 申请日: | 2018-10-15 |
| 公开(公告)号: | CN109202079A | 公开(公告)日: | 2019-01-15 |
| 发明(设计)人: | 石学智;杨淑洁;马树元 | 申请(专利权)人: | 浙江海洋大学 |
| 主分类号: | B22F3/105 | 分类号: | B22F3/105;C22C14/00;B33Y10/00;B33Y30/00 |
| 代理公司: | 杭州浙科专利事务所(普通合伙) 33213 | 代理人: | 吴秉中 |
| 地址: | 316000 浙江省舟山市普陀海*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 制备 选区熔化 激光 成形件 微叠层复合材料 成形粉末 性能需求 微叠层 预处理 先进制造技术 激光原位 交替堆积 结构零件 切片处理 扫描路径 温度梯度 预热基板 逐层扫描 综合性能 全致密 预烧结 预热 基板 规划 | ||
本发明提供一种激光选区熔化制备TiAl/TC4微叠层复合材料的方法,属于先进制造技术领域,包括:预处理成形粉末;切片处理结构零件模型,规划出扫描路径与参数;预热基板;激光选区熔化设备交替铺置成形粉末、激光逐层扫描形成成形件。有益效果为:通过激光选区熔化设备逐层交替堆积制备微叠层材料。同时利用基板预热,激光原位预烧结降低温度梯度,改善残余内应力,有效的抑制了裂纹的产生,得到了全致密、综合性能较好的TiAl/TC4微叠层试样;可根据性能需求设置不同的层数比,以此实现不同性能需求成形件的制备,降低了成形件的强度、塑性及密度对制备方法的限制,同时也扩展了SLM的应用领域。
技术领域
本发明属于先进制造技术领域,具体涉及一种激光选区熔化制备TiAl/TC4微叠层复合材料的方法。
背景技术
TiAl基合金具有密度低、比强度高、耐氧化和高温抗蠕变性能好等优点,可实现高温结构件减重30~40%,在航空航天、汽车等领域具有广阔的应用前景。然而,由于TiAl基合金的室温塑性低(0.3%左右)和热加工难度大而严重制约了其发展和应用。激光选区熔化技术(Selective Laser Melting,SLM)是一种能直接成形高致密、高精度复杂结构金属零件的快速制造技术,与传统制造方法相比,极大提高了材料利用率,缩短了制造周期。SLM是目前所有金属增材制造技术中成形精度和成型质量最好的工艺,可以成形复杂精密的功能零件。许多学者利用激光选区熔化技术对TiAl合金进行了快速成形的研究,但是由于TiAl基合金固有的低室温延性,在SLM制备过程中产生的温度梯度和残余应力使得TiAl合金零件非常容易产生裂纹,影响零件质量,目前SLM还无法制备全致密的TiAl合金零件。
当前,为改善TiAl基合金塑性,人们发展了具有仿生结构的TiAl基微叠层复合材料,通过塑韧合金(Ti、Nb合金)微叠层增韧,可解决TiAl室温脆性的局限性,呈现出良好的综合力学性能。TC4是应用最广泛的钛合金,具有中等的室温和高温强度、优异的塑性和韧性;激光选区熔化制备TC4的工艺已经十分成熟,钛合金成形件目前已广泛应用于航空航天、军事、医疗等领域。采用TC4钛合金增强TiAl基合金有望在保留其高温强度和抗氧化性能的基础上,提高其室温塑韧性,从而提高TiAl基合金的综合力学性能。然而TiAl基微叠层复合材料制备难度更大,传统方法难以制备,目前只停滞在材料制备研究方面,尚无法实现零件制造。
发明内容
本发明的目的在于提供一种激光选区熔化制备TiAl/TC4微叠层复合材料的方法,本发明方法有效地抑制了裂纹的产生,得到了全致密、综合性能较好的TiAl/TC4微叠层试样,根据性能需求设置不同的层数比以制备不同性能需求的成形件,降低了成形件的强度、塑性及密度对制备方法的限制,同时也扩展了SLM的应用领域。
本发明为实现上述目的所采取的技术方案为:
一种激光选区熔化制备TiAl/TC4微叠层复合材料的方法,具体步骤如下:
(1)成形粉末为气雾化TiAl粉、TC4粉,制备前将粉末置于真空干燥箱中烘干;铺粉前,将待用TiAl粉、TC4粉装入储粉箱,加热装置对储粉箱内粉末进行外部加热至200℃;铺粉前对粉末进行加热可防止过冷的粉末直接铺置在已凝固层上;
(2)制备前去掉基板表面氧化层并擦拭干净,将基板安装到工作平台并调平后关闭成形工作室;去除基板表面氧化层并擦拭可粗糙表面,降低铺粉难度;
(3)惰性保护气体先通过干燥过滤器,去除水汽,然后通过气体加热器进行加热,加热温度为100℃,最后充入成形工作室;
(4)通过计算机对TiAl/TC4叠层结构零件模型进行设计并添加材料属性,同时对模型分层切片处理,根据每个切片的几何轮廓信息和材料信息,规划出扫描路径,并设置相应的试验参数;
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