[发明专利]静电卡盘及反应腔室在审
| 申请号： | 201811183845.3 | 申请日： | 2018-10-11 |
| 公开（公告）号： | CN111048460A | 公开（公告）日： | 2020-04-21 |
| 发明（设计）人： | 黄其伟;史全宇 | 申请（专利权）人： | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683;H01L21/67;H01J37/32 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 彭瑞欣;张天舒 |
| 地址： | 100176 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 静电 卡盘 反应 | ||
1.一种静电卡盘，包括绝缘层和设置在所述绝缘层底部的加热体，其特征在于，还包括：
冷却结构，设置在所述加热体的下方，且与所述加热体间隔设置，所述冷却结构用于通过冷却液体来将所述加热体的热量导出。
2.根据权利要求1所述的静电卡盘，其特征在于，所述冷却结构包括：
冷却管路，与所述加热体间隔分离设置；
传热板，呈薄壁状，且分别与所述加热体和所述冷却管路连接，用于将所述加热体的热量传递至所述冷却管路。
3.根据权利要求2所述的静电卡盘，其特征在于，所述冷却结构还包括法兰，所述法兰与所述加热体的底部连接，且环绕在所述冷却管路的周围；
所述传热板呈环状，且所述传热板的内周壁和外周壁分别与所述冷却管路和所述法兰相接触。
4.根据权利要求3所述的静电卡盘，其特征在于，通过设定不同的所述传热板的轴向厚度、径向长度和/或所述传热板的内周壁和外周壁分别与所述冷却管路和所述法兰相接触的接触面积，来控制所述传热板的散热效率。
5.根据权利要求4所述的静电卡盘，其特征在于，所述传热板的散热效率的取值范围在10W～500W。
6.根据权利要求2所述的静电卡盘，其特征在于，所述冷却结构与所述加热体之间的间距的取值范围在2～30mm。
7.根据权利要求6所述的静电卡盘，其特征在于，所述冷却结构与所述加热体之间的间距为5mm。
8.根据权利要求2所述的静电卡盘，其特征在于，所述传热板与所述冷却管路采用焊接的方式连接。
9.根据权利要求2-8任意一项所述的静电卡盘，其特征在于，所述冷却结构还包括：
吸热结构，与所述冷却管路接触，且位于所述加热体的下方，用于吸收来自所述加热体辐射出的热量。
10.根据权利要求9所述的静电卡盘，其特征在于，所述吸热结构包括吸热盘，所述吸热盘设置在所述冷却管路的上方，且与所述冷却管路固定连接；并且，在所述吸热盘的与所述加热体相对的表面上设置有多个吸热片。
11.根据权利要求10所述的静电卡盘，其特征在于，多个所述吸热片为内径不同的多个环体，且多个所述环体同心设置。
12.根据权利要求10所述的静电卡盘，其特征在于，所述冷却管路沿所述吸热盘的周向环绕设置。
13.一种反应腔室，其特征在于，包括权利要求1-12任意一项所述的静电卡盘。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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