[发明专利]用于制造激光二极管条的方法和激光二极管条

说明书

描述一种制造激光二极管条的方法，包括如下步骤：制造多个彼此并排设置的发射体，其中发射体分别具有半导体层序列，半导体层序列具有适合于产生激光辐射的有源层、p型接触部和n型接触部；检查发射体的至少一个光学和/或电学特性，将光学和/或电学特性处于预设的理论值范围之内的发射体与第一发射体的组相关联，并且将光学和/或电学特性处于预设的理论值范围之外的发射体与第二发射体的组相关联；将电绝缘层至少施加到第二发射体的p型接触部上；通过将p型联接层施加到第一发射体的p型接触部上来电接触第一发射体的p型接触部，其中通过电绝缘层将第二发射体的p型接触部与p型联接层电绝缘。此外，提出可借助该方法制造的激光二极管条。

技术领域

本发明涉及一种用于制造激光二极管条的方法和一种可借助该方法制造的激光二极管条。

本申请要求德国专利申请10 2017 123 755.0的优先权，其公开内容通过参引的方式并入本文。

背景技术

尤其提出用于下述激光二极管条的方法，所述激光二极管条基于氮化物半导体材料，尤其InAlGaN。这种激光二极管条尤其能够发射可见光谱范围中的辐射。但是，由氮化物半导体制造有效的激光二极管条是困难的，因为在该材料体系中与例如InAlGaAs的其他材料体系相比会出现提高的缺陷密度。

发明内容

要实现的目的在于：提出一种激光二极管条和一种用于制造激光二极管条的方法，其中激光二极管条的特征在于改进的效率。

所述目的通过一种用于制造激光二极管条的方法和激光二极管条来实现。本发明的有利的设计方案和改进形式是实施例的主题。一种用于制造激光二极管条的方法，所述方法包括如下步骤：-制造多个彼此并排设置的发射体，其中所述发射体分别具有半导体层序列、p型接触部和n型接触部，所述半导体层序列具有适合于产生激光辐射的有源层，-检查所述发射体的至少一个光学和/或电学特性，其中将光学和/或电学特性处于预设的理论值范围之内的发射体与第一发射体的组相关联，并且将光学和/或电学特性处于预设的理论值范围之外的发射体与第二发射体的组相关联，-将电绝缘层至少施加到所述第二发射体的所述p型接触部上，-通过将p型联接层施加到所述第一发射体的所述p型接触部上来电接触所述第一发射体的所述p型接触部，其中通过所述电绝缘层将所述第二发射体的所述p型接触部与所述p型联接层电绝缘。一种激光二极管条，其包括多个彼此并排设置的发射体，其中所述发射体分别具有半导体层序列、p型接触部和n型接触部，所述半导体层序列具有适合于产生激光辐射的有源层，其中-所述发射体包括被电接触的第一发射体的组和不被电接触的第二发射体的组，-所述第一发射体的所述p型接触部借助于p型联接层被电接触，和-所述第二发射体的所述p型接触部通过电绝缘层与所述p型联接层分开并且不被电接触。

根据用于制造激光二极管条的方法的至少一个实施方式，制造多个彼此并排设置的发射体，其中所述发射体有利地能够分开地电接触。发射体尤其分别具有适合于发射激光辐射的半导体层序列。发射体的半导体层序列例如分别具有n型半导体区域、p型半导体区域和设置在其之间的有源层，所述有源层适合于产生激光辐射。n型半导体区域、有源层和p型半导体区域能够分别具有一个或多个子层。可行的是：n型半导体区域、有源层和p型半导体区域包含一个或多个未掺杂的层。

此外，发射体分别具有p型接触部和n型接触部。优选地，发射体的p型接触部设置在激光二极管条的第一主面上，并且n型接触部设置在激光二极管条的相对置的第二主面上。换言之，p型接触部和n型接触部从有源层观察彼此相对置。在一个设计方案中，发射体具有共同的n型接触部和分开的p型接触部。p型接触部和/或n型接触部尤其能够是由金属或金属合金构成的接触焊盘，例如具有金或由金构成的接触焊盘。

第一主面能够朝向载体、例如热沉并且用作为用于激光二极管条的安装面。第二主面能够是激光二极管条的背离载体的表面。