[发明专利]用于制造激光二极管条的方法和激光二极管条

权利要求书

1.一种用于制造激光二极管条(10)的方法，所述方法包括如下步骤：

-制造多个彼此并排设置的发射体(1，2)，其中所述发射体(1，2)分别具有半导体层序列(9)、p型接触部(6)和n型接触部(7)，所述半导体层序列具有适合于产生激光辐射的有源层(4)，

-检查所述发射体(1，2)的至少一个光学和/或电学特性，其中将光学和/或电学特性处于预设的理论值范围之内的发射体(1)与第一发射体(1)的组相关联，并且将光学和/或电学特性处于预设的理论值范围之外的发射体(2)与第二发射体(2)的组相关联，

-将电绝缘层(8)至少施加到所述第二发射体(2)的所述p型接触部(6)上，

-通过将p型联接层(14)施加到所述第一发射体(1)的所述p型接触部(6)上来电接触所述第一发射体(1)的所述p型接触部(6)，其中通过所述电绝缘层(8)将所述第二发射体(2)的所述p型接触部与所述p型联接层(14)电绝缘。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述p型联接层(14)是焊料层，并且其中所述激光二极管条(10)在第一主面(11)上借助于所述焊料层与载体(13)连接，将所述发射体(1，2)的所述p型接触部(6)设置在所述第一主面上。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其中所述电绝缘层(8)包括漆或墨并且选择性地施加到所述第二发射体(2)的所述p型接触部(6)上。

4.根据权利要求1或2所述的方法，其中所述电绝缘层(8)包括光刻胶层，所述光刻胶层施加到所述第一发射体(1)的和所述第二发射体(2)的所述p型接触部(6)上，其中所述光刻胶层在所述第一发射体(1)的所述p型接触部(6)上曝光并且随后被再次移除，并且其中所述光刻胶层在所述第二发射体(2)的所述p型接触部(6)上未曝光并且不被再次移除。

5.根据权利要求1或2所述的方法，其中所述电绝缘层(8)包括氧化物层，所述氧化物层施加到所述第一发射体(1)的和所述第二发射体(2)的所述p型接触部(6)上，并且其中所述氧化物层从所述第一发射体(1)的所述p型接触部(6)再次移除。

6.根据权利要求5所述的方法，其中所述第一发射体(1)和所述第二发射体(2)的所述p型接触部(6)具有金，并且在施加所述电绝缘层(8)之前用氧等离子处理，以便在所述p型接触部(6)的表面上产生氧化金层(17)，并且其中氧化金层(17)在施加所述电绝缘层(8)之后通过在所述第一发射体(1)运行时形成的热量而被至少部分地分解，使得所述电绝缘层(8)在所述第一发射体(1)的所述p型接触部(6)上与在所述第二发射体(2)的所述p型接触部(6)上相比更差地附着，并且其中所述电绝缘层(8)至少部分地从所述第一发射体(1)的所述p型接触部(6)剥离。

7.根据权利要求1或2所述的方法，其中所述半导体层序列(9)具有氮化物半导体材料。

8.一种激光二极管条，其包括多个彼此并排设置的发射体(1，2)，其中所述发射体(1，2)分别具有半导体层序列(9)、p型接触部(6)和n型接触部(7)，所述半导体层序列具有适合于产生激光辐射的有源层(4)，其中

-所述发射体(1，2)包括被电接触的第一发射体(1)的组和不被电接触的第二发射体(2)的组，

-所述第一发射体(1)的所述p型接触部(6)借助于p型联接层(14)被电接触，和

-所述第二发射体(2)的所述p型接触部(6)通过电绝缘层(8)与所述p型联接层(14)分开并且不被电接触。

9.根据权利要求8所述的激光二极管条，其中所述p型联接层(14)是焊料层，并且其中所述激光二极管条(10)在第一主面(11)上借助于所述焊料层与载体(13)连接，其中将所述发射体(1，2)的所述p型接触部(6)设置在所述第一主面上。

10.根据权利要求8或9所述的激光二极管条，其中所述电绝缘层(8)包括漆或墨。