[发明专利]阵列基板及显示装置有效
| 申请号: | 201811168383.8 | 申请日: | 2018-10-08 |
| 公开(公告)号: | CN109473458B | 公开(公告)日: | 2020-09-08 |
| 发明(设计)人: | 马伟欣 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
| 代理公司: | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人: | 黄威 |
| 地址: | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 阵列 显示装置 | ||
1.一种阵列基板,设有一显示区和一非显示区,其特征在于,该阵列基板包括:
若干薄膜晶体管,阵列式排布于所述显示区,每一薄膜晶体管具有输入端;
一驱动电路,对应于所述非显示区,该驱动电路具有输出端;
若干多晶硅电阻以及若干扇出线,对应于所述非显示区;
其中,每一所述多晶硅电阻的两端通过对应所述扇出线分别连接至所述薄膜晶体管的输入端和所述驱动电路的输出端;
所述扇出线包括若干第一扫描线以及若干第二扫描线;
所述阵列基板还包括:
一缓冲层,所述多晶硅电阻设于所述缓冲层上;
一第一绝缘层,覆于所述多晶硅电阻上,所述第一扫描线设于所述第一绝缘层的上方;
一第二绝缘层,覆于所述第一扫描线上,所述第二扫描线设于所述第二绝缘层的上方;
一层间介质层,覆于所述第二扫描线上。
2.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述层间介质层的材料为绝缘电介质材料。
3.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,还包括源极走线以及漏极走线,设于所述层间介质层上方。
4.如权利要求3所述的阵列基板,其特征在于,所述多晶硅电阻的一端设有一第一串联孔,另一端设有一第二串联孔;
每一所述第一扫描线上均设有一第一连接端以及一第二连接端;每一所述第二扫描线上均设有一第三连接端以及一第四连接端;
其中,当所述多晶硅电阻与对应所述第一扫描线连接时,所述第一串联孔与所述第一连接端连接,所述第二串联孔与所述第二连接端连接;
当所述多晶硅电阻与对应所述第二扫描线连接时,所述第一串联孔通过所述源极走线与所述第三连接端连接,所述第二串联孔通过所述漏极走线与所述第四连接端连接。
5.如权利要求4所述的阵列基板,其特征在于,还包括:
若干第一贯穿孔,贯穿式设于所述第一绝缘层上;
其中,每一所述第一贯穿孔与所述第一串联孔或所述第二串联孔上下对应。
6.如权利要求5所述的阵列基板,其特征在于,还包括:
若干第二贯穿孔,贯穿式设于所述第二绝缘层上;
其中,每一所述第二贯穿孔与所述第一串联孔或所述第二串联孔上下对应。
7.如权利要求6所述的阵列基板,其特征在于,还包括:
若干第三贯穿孔,贯穿式设于所述层间介质层上;
其中,每一所述第三贯穿孔与所述第二贯穿孔或所述第三连接端或所述第四连接端上下对应。
8.如权利要求7所述的阵列基板,其特征在于,所述第三贯穿孔的总数量为所述第二贯穿孔的2倍。
9.一种显示装置,其特征在于,包括如权利要求1~8任意一项所述的阵列基板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





