[发明专利]量子点及其制备方法

权利要求书

1.一种量子点，其特征在于，包括III-V族量子点核和包覆在所述III-V族量子点核表面的乙酰丙酮盐壳层。

2.如权利要求1所述的量子点，其特征在于，所述乙酰丙酮盐壳层的材料选自乙酰丙酮锌、乙酰丙酮镉、乙酰丙酮汞、乙酰丙酮铍、乙酰丙酮钙、乙酰丙酮镁、乙酰丙酮锶、乙酰丙酮钡、乙酰丙酮钴、乙酰丙酮镍、乙酰丙酮铁、乙酰丙酮钛、乙酰丙酮锰、乙酰丙酮钾、乙酰丙酮锆、乙酰丙酮锂、乙酰丙酮钴、乙酰丙酮铜、乙酰丙酮氧钛、乙酰丙酮氧钒、乙酰丙酮锶、乙酰丙酮钍、乙酰丙酮亚铁、乙酰丙酮锆、乙酰丙酮铪、乙酰丙酮镓、乙酰丙酮铟和乙酰丙酮铝中的至少一种。

3.如权利要求1所述的量子点，其特征在于，所述III-V族量子点核的材料选自GaN、GaP、GaAs、GaSb、AlN、AlP、AlAs、AlSb、InN、InP、InAs、InSb、GaNP、GaNAs、GaNSb、GaPAs、GaPSb、AlNP、AlNAs、AlNSb、AlPAs、AlPSb、InNP、InNAs、InNSb、InPAs、InPSb、GaAlNP、GaAlNAs、GaAlNSb、GaAlPAs、GaAlPSb、GaInNP、GaInNAs、GaInNSb、GaInPAs、GaInPSb、InAlNP、InAlNAs、InAlNSb、InAlPAs、InAlPSb和InZnP中的一种。

4.如权利要求1所述的量子点，其特征在于，所述III-V族量子点核中含有掺杂元素，所述掺杂元素选自比Zn²⁺的有效离子半径小的IIA族元素和比Zn²⁺的有效离子半径小的IIIA族元素中的至少一种。

5.如权利要求1-4任一项所述的量子点，其特征在于，所述量子点还包括包覆在所述乙酰丙酮盐壳层表面的II-VI族半导体外壳层。

6.如权利要求5所述的量子点，其特征在于，所述II-VI族半导体外壳层的材料选自CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnO、HgS、HgSe、HgTe、MgSe、MgS、CdSeS、CdSeTe、CdSTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnSTe、HgSeS、HgSeTe、HgSTe、HgZnS、HgZnSe、HgZnTe、MgZnSe、MgZnS、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、CdHgS、CdHgSe、CdHgTe、HgZnTeS、CdZnSeS、CdZnSeTe、CdZnSTe、CdHgSeS、CdHgSeTe、CdHgSTe、HgZnSeS、HgZnSeTe和HgZnSTe中的至少一种；和/或

所述II-VI族半导体外壳层的厚度为3-5nm。

7.一种量子点的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

提供乙酰丙酮盐和含有量子点核的溶液，所述量子点核为含有掺杂元素的III-V族量子点核或者不含有掺杂元素的III-V族量子点核；

将所述乙酰丙酮盐加入所述含有量子点核的溶液中，在第一温度条件下加热，在所述III-V族量子点核表面形成乙酰丙酮盐壳层，得到所述量子点。

8.如权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述乙酰丙酮盐选自乙酰丙酮锌、乙酰丙酮镉、乙酰丙酮汞、乙酰丙酮铍、乙酰丙酮钙、乙酰丙酮镁、乙酰丙酮锶、乙酰丙酮钡、乙酰丙酮钴、乙酰丙酮镍、乙酰丙酮铁、乙酰丙酮钛、乙酰丙酮锰、乙酰丙酮钾、乙酰丙酮锆、乙酰丙酮锂、乙酰丙酮钴、乙酰丙酮铜、乙酰丙酮氧钛、乙酰丙酮氧钒、乙酰丙酮锶、乙酰丙酮钍、乙酰丙酮亚铁、乙酰丙酮锆、乙酰丙酮铪、乙酰丙酮镓、乙酰丙酮铟、乙酰丙酮铝中的至少一种；

所述第一温度条件为120-250℃；和/或

所述第一温度条件下加热的时间为30-60min。