[发明专利]核壳纳米材料及其制备方法和量子点发光二极管在审

专利信息
申请号: 201811149696.9 申请日: 2018-09-29
公开(公告)号: CN110970566A 公开(公告)日: 2020-04-07
发明(设计)人: 何斯纳;吴龙佳;吴劲衡 申请(专利权)人: TCL集团股份有限公司
主分类号: H01L51/50 分类号: H01L51/50;H01L51/56
代理公司: 深圳中一专利商标事务所 44237 代理人: 官建红
地址: 516006 广东省*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 纳米 材料 及其 制备 方法 量子 发光二极管
【说明书】:

发明属于纳米材料技术领域,具体涉及一种核壳纳米材料及其制备方法和量子点发光二极管。所述核壳纳米材料包括TiO2纳米颗粒核和包覆在所述TiO2纳米颗粒核表面的SnO2壳层。将该核壳纳米材料作为电子传输材料,不仅具有很好的稳定性,而且可以使电子空穴对的辐射组合减少,从而提高电子传输性能,增强器件的发光效率。

技术领域

本发明属于纳米材料技术领域,具体涉及一种核壳纳米材料及其制备方法和量子点发光二极管。

背景技术

TiO2是一种广泛应用的多功能材料,具有3.2eV的宽禁带,它有着独特的光学、电学及物理性质,以及优良的化学稳定性,能够抵抗介质的电化学腐蚀,己被广泛应用于涂料、化妆品、半导体、传感器、介电材料、催化剂等领域。另外,TiO2也可以广泛地用作为阳极催化分解水、太阳能电池等光化学以及光电子器件的功能材料。另一方面,氧化锡(SnO2)作为一种更加廉价并且稳定的金属氧化物,在电极材料、气敏材料及超级电容器等领域被广泛应用,在工业中也可以低成本和大面积制备。

氧化钛为直接带隙半导体,具有3.2eV的宽禁带,而氧化锡的禁带宽度为3.5eV左右。两者都是重要的半导体材料,在光催化、光电转化等领域都有广泛的应用。目前,现有电子传输材料的种类较少,特别三在QLED方面的应用受限。

因此,现有技术还有待于改进和发展。

发明内容

本发明的目的在于克服现有技术的上述不足,提供一种核壳纳米材料及其制备方法和量子点发光二极管,,旨在解决为现有电子传输材料提供更多选自的技术问题。

为实现上述发明目的,本发明采用的技术方案如下:

本发明一方面提供一种核壳纳米材料,所述核壳纳米材料包括TiO2纳米颗粒核和包覆在所述TiO2纳米颗粒核表面的SnO2壳层。

本发明提供的核壳纳米材料中,用SnO2包覆在TiO2纳米颗粒核表面形成SnO2壳层,SnO2是一种廉价、稳定的金属氧化物,SnO2的禁带宽度(3.5eV)比TiO2的禁带宽度(3.2eV)更宽,因此,通过以带隙相对较宽的SnO2壳层包覆带隙相对较窄的TiO2纳米颗粒核形成的核壳纳米材料(即TiO2/SnO2核壳纳米材料),可以提高核壳纳米材料的稳定性,更有利于电子的传输;同时,TiO2纳米颗粒表面一般存在氧空位,而SnO2壳层包覆着TiO2纳米颗粒核可填补该TiO2的氧空位,造成氧空位减少,这样降低了TiO2纳米颗粒的氧缺陷形成;将该核壳纳米材料作为电子传输材料,不仅具有很好的稳定性,而且可以使电子空穴对的辐射组合减少,从而提高电子传输性能,增强器件的发光效率。

本发明另一方面提供一种核壳纳米材料的制备方法,包括如下步骤:

提供TiO2纳米颗粒和锡盐;

将所述TiO2纳米颗粒和锡盐溶于溶剂中,在碱性条件下进行加热处理,得到前驱体溶液;

将所述前驱体溶液进行退火处理,得到所述核壳纳米材料。

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