[发明专利]制造半导体器件的方法

权利要求书

1.一种制造半导体器件的方法，所述半导体器件包括将形成有第一MISFET的第一区域和将形成有第二MISFET的第二区域，所述方法包括以下步骤：

(a)在所述第一区域和所述第二区域的半导体衬底上方形成第一绝缘膜；

(b)在所述第一绝缘膜上形成保护膜，所述保护膜由与所述第一绝缘膜不同的材料制成；

(c)通过选择性地移除所述第一区域的所述保护膜和所述第一绝缘膜，来暴露所述第一区域的所述半导体衬底；

(d)在步骤(c)之后，在所述第一区域的所述半导体衬底上形成第二绝缘膜；

(e)在步骤(d)之后，通过在所述第二区域中的所述第一绝缘膜被覆盖有所述保护膜的状态下在包含氮的气氛中对所述半导体衬底执行热处理，来将氮引入到所述第一区域中的所述半导体衬底与所述第二绝缘膜之间的界面；

(f)在步骤(e)之后，移除所述第二区域的所述保护膜；

(g)在步骤(f)之后，在所述第一区域的所述第二绝缘膜上方和所述第二区域的所述第一绝缘膜上方形成第一导电膜，以及

(h)通过图案化所述第一导电膜，来形成所述第一区域中的所述第一MISFET的第一栅极电极和所述第二区域中的所述第二MISFET的第二栅极电极。

2.根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法，还包括以下步骤：

(i)在步骤(e)之后并且在步骤(f)之前，在所述第一区域的所述第二绝缘膜上并且在所述第二区域的所述保护膜上形成第三绝缘膜；以及

(j)在所述第三绝缘膜上形成第四绝缘膜；以及

(k)在步骤(j)之后，选择性地移除所述第二区域的所述第四绝缘膜和所述第三绝缘膜以便留下所述第一区域的所述第四绝缘膜和所述第三绝缘膜，

其中，在步骤(g)中，所述第一区域的所述第一导电膜被形成在所述第四绝缘膜上，

其中，在步骤(h)中，所述第一区域的所述第一栅极电极被形成在所述第四绝缘膜上，以及

其中，所述第一MISFET的第一栅极绝缘膜包括所述第一区域的所述第二绝缘膜、所述第三绝缘膜和所述第四绝缘膜。

3.根据权利要求2所述的制造半导体器件的方法，

其中，所述第三绝缘膜和所述保护膜由相同材料制成，以及

其中，所述第三绝缘膜通过蚀刻在步骤(k)中被移除，并且所述保护膜通过类似蚀刻在步骤(f)中被移除。

4.根据权利要求2所述的制造半导体器件的方法，还包括以下步骤：

在步骤(f)之后并且在步骤(g)之前，在包含氮的气氛中对所述第一区域的所述第四绝缘膜的表面和所述第二区域的所述第一绝缘膜的表面执行等离子体处理。

5.根据权利要求2所述的制造半导体器件的方法，

其中，所述第三绝缘膜是电荷存储层，以及

其中，所述第一MISFET构成非易失性存储器单元的一部分。

6.根据权利要求5所述的制造半导体器件的方法，

其中，所述第三绝缘膜包括氮化硅膜，以及

其中，所述第二绝缘膜和所述第四绝缘膜每个都包括氧化硅膜。

7.根据权利要求5所述的制造半导体器件的方法，

其中，所述非易失性存储器单元包括所述第一MISFET和所述第二MISFET，以及

其中，所述第二MISFET构成所述非易失性存储器单元的选择晶体管。

8.根据权利要求7所述的制造半导体器件的方法，

其中，所述第一MISFET和所述第二MISFET是n型晶体管。

9.根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法，

其中，所述第一MISFET是n型晶体管，以及

其中，所述第二MISFET是p型晶体管。