[发明专利]背入射式量子阱红外探测器单元器件封装装置及方法有效
| 申请号: | 201811143763.6 | 申请日: | 2018-09-28 |
| 公开(公告)号: | CN110970509B | 公开(公告)日: | 2021-03-02 |
| 发明(设计)人: | 苏艳梅;张冶金;种明;孙捷;孙秀艳 | 申请(专利权)人: | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号: | H01L31/02 | 分类号: | H01L31/02;H01L31/0203;H01L31/024 |
| 代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 任岩 |
| 地址: | 100083 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 入射 量子 红外探测器 单元 器件 封装 装置 方法 | ||
1.一种背入射式量子阱红外探测器单元器件封装装置,其特征在于,包括:
一量子阱红外探测器单元器件,其背面为衬底,正面具有不同引出电极,光从探测器背面入射;
陶瓷片,正面生长有合金材料;
一热沉,所述量子阱红外探测器单元器件背面部分固定在该热沉上,所述陶瓷片背面固定在该热沉上;
金丝,一端连在所述量子阱红外探测器单元器件正面,另一端连在所述陶瓷片正面;
一带有缺口的金属适配器,与所述热沉固定有器件的一面接触,所述热沉上固定的器件位于所述金属适配器缺口内,实现量子阱红外探测器单元器件正面电极的引出;
一杜瓦冷指,将所述金属适配器未接触热沉的一面与所述杜瓦冷指接触;
引出线,其一端焊在所述陶瓷片正面,另一端焊在杜瓦接线柱上;
杜瓦接线柱,通过与所述引出线相连,将量子阱红外探测器单元器件的电极引出杜瓦。
2.根据权利要求1所述的背入射式量子阱红外探测器单元器件封装装置,其特征在于,所述量子阱红外探测器单元器件材料包括:
GaAs衬底上生长GaAs/AlGaAs量子阱、InGaAs/GaAs量子阱、InGaAs/AlGaAs量子阱或其组合。
3.根据权利要求1所述的背入射式量子阱红外探测器单元器件封装装置,其特征在于,所述量子阱红外探测器单元器件正面包括耦合光栅。
4.根据权利要求1所述的背入射式量子阱红外探测器单元器件封装装置,其特征在于,所述陶瓷片正面材料包括以下至少一种:
钛铂金、钛金、镍金合金材料或其组合。
5.根据权利要求1所述的背入射式量子阱红外探测器单元器件封装装置,其特征在于,所述量子阱红外探测器单元器件上的不同电极对应不同的陶瓷片,所述陶瓷片之间间隔放置。
6.根据权利要求1所述的背入射式量子阱红外探测器单元器件封装装置,其特征在于,所述热沉材料为铜。
7.根据权利要求1所述的背入射式量子阱红外探测器单元器件封装装置,其特征在于,所述引出线为金属导线,所述引出线除两端1-2毫米露出金属外,其余部分包有绝缘材料。
8.根据权利要求1所述的背入射式量子阱红外探测器单元器件封装装置,其特征在于,所述金属适配器材料为铝、不锈钢或铜。
9.根据权利要求1或8所述的背入射式量子阱红外探测器单元器件封装装置,其特征在于,所述金属适配器的厚度比所述陶瓷片及量子阱红外探测器单元器件的厚度高2-3毫米。
10.一种用于实现权利要求1至9中任一所述的背入射式量子阱红外探测器单元器件封装装置的封装方法,其特征在于,所述方法包括如下步骤:
用粘合剂将量子阱红外探测器单元器件及陶瓷片粘在热沉上;
用金丝压焊的方法将量子阱红外探测器单元器件上的不同电极引出到陶瓷片上;
用焊锡将引出线焊在陶瓷片上;
用螺丝将热沉固定在金属适配器上;
用螺丝将适配器固定在杜瓦冷指上;
将引出线的另一端焊在杜瓦接线柱上,从而将量子阱红外探测器单元器件上的不同电极引出杜瓦。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





