[发明专利]一种MOS晶体管的形成方法以及CMOS图像传感器的形成方法

权利要求书

1.一种MOS晶体管的形成方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供一半导体衬底，所述半导体衬底上形成有栅极结构；

在所述半导体衬底上形成一图形化的第一掩模层，以所述图形化的第一掩模层以及栅极结构为掩模，对所述半导体衬底进行轻掺杂离子注入，以形成未激活的轻掺杂源/漏区，并清除所述图形化的第一掩模层；

在所述半导体衬底上由下至上依次形成第一栅极侧墙膜层和第二栅极侧墙膜层，刻蚀所述第二栅极侧墙膜层和第一栅极侧墙膜层，以通过一次刻蚀工艺在所述栅极结构的两侧形成第一栅极侧墙和第二栅极侧墙；以及

在所述半导体衬底上形成图形化的第二掩模层，以所述图形化的第二掩模层和第二栅极侧墙为掩模，对所述半导体衬底进行离子注入，以形成未激活的重掺杂源/漏区，并清除所述图形化的第二掩模层。

2.如权利要求1所述的MOS晶体管的形成方法，其特征在于，所述栅极结构由下至上依次包括栅介质层和栅极，所述栅介质层的材料为氧化硅，所述栅极的材料为多晶硅。

3.如权利要求1所述的MOS晶体管的形成方法，其特征在于，在清除所述图形化的第一掩模层之前还包括：

对所述半导体衬底进行热处理，以激活所述轻掺杂源/漏区。

4.如权利要求3所述的MOS晶体管的形成方法，其特征在于，所述热处理采用快速热退火操作。

5.如权利要求1所述的MOS晶体管的形成方法，其特征在于，形成第一栅极侧墙和第二栅极侧墙的步骤如下：

通过化学气相沉积在所述半导体衬底上由下至上依次形成第一栅极侧墙膜层和第二栅极侧墙膜层；以及

刻蚀所述第二栅极侧墙膜层和第一栅极侧墙膜层，以通过一次性刻蚀在所述栅极结构的两侧形成第一栅极侧墙和第二栅极侧墙。

6.如权利要求5所述的MOS晶体管的形成方法，其特征在于，所述第一栅极侧墙膜层的材料为氧化硅。

7.如权利要求5所述的MOS晶体管的形成方法，其特征在于，所述第二栅极侧墙膜层的材料为氧化硅、氮化硅或二者的叠层结构。

8.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，形成重掺杂源/漏区的步骤如下：

在所述半导体衬底上形成图形化的第二掩模层；

以所述图形化的第二掩模层和第二栅极侧墙为掩模，对所述半导体衬底进行重掺杂离子注入，以形成未激活的重掺杂源/漏区；

清除所述图形化的第二掩模层；以及

对所述半导体衬底进行热处理，以激活所述重掺杂源/漏区。

9.如权利要求8所述的MOS晶体管的形成方法，其特征在于，所述热处理采用快速热退火操作。

10.一种CMOS图像传感器的形成方法，其特征在于，包括：

采用如权利要求1至9中任一项所述的MOS晶体管形成方法形成MOS晶体管。