[发明专利]半导体发光装置及紫外线发光模块有效
| 申请号: | 201811131759.8 | 申请日: | 2018-09-27 |
| 公开(公告)号: | CN109560178B | 公开(公告)日: | 2022-01-11 |
| 发明(设计)人: | 佐藤恒辅 | 申请(专利权)人: | 旭化成株式会社 |
| 主分类号: | H01L33/32 | 分类号: | H01L33/32;H01L33/38 |
| 代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;张会华 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 半导体 发光 装置 紫外线 模块 | ||
本发明涉及半导体发光装置及紫外线发光模块。该半导体发光装置具有:半导体发光元件,其形成在基板的一面上,且具有在俯视状态下相邻地形成的第一电极和多个第二电极;基体,其具有与一面相对的相对面,且在相对面形成有与第一电极相对应的第三电极和与多个第二电极相对应的第四电极;第一连接体,其将第一电极与第三电极电连接起来;以及第二连接体,其将多个第二电极与第四电极电连接起来。多个第二电极(100)的平面形状为带状,在俯视状态下,多个第二电极的宽度方向中心线实质上平行。在俯视状态下,以相对于多个第二电极的各自的宽度方向中心线的延长线(L2)实质上呈线对称的方式配置有偶数个第一连接体(102)。
技术领域
本发明涉及半导体发光装置及具有该半导体发光装置的紫外线发光模块。
背景技术
对于半导体发光装置,通过控制作为发光层的半导体活性层的组成,能够在从深紫外到红外为止的范围内控制发光波长,并被用于照明、测量仪器用光源、消毒光源等各种各样的用途。
在半导体发光装置的通常形态中,半导体发光元件(半导体芯片)安装于具有与外部金属线相连接的连接体的电路板(封装基板)。在作为该形态之一的倒装芯片结构的半导体发光装置中,在半导体芯片的一个面形成有p型电极和n型电极,该面与封装基板相对,半导体芯片的p型电极和n型电极与封装基板上的相对应的各电极通过金属球等连接体电连接起来,能够从半导体芯片的另一个面射出光。
半导体芯片的p型电极和n型电极起到使通过自外部施加电压而经由封装基板和金属球等连接体供给来的电流流向半导体芯片的作用。此外,金属球等连接体还发挥使半导体芯片产生的热向封装基板释放的散热作用。
出于提高发光效率和光取出效率的目的,使氮化物半导体发光元件的p型电极的平面形状为并列地配置多个带状部(第一方向上的尺寸大于与第一方向正交的第二方向上的尺寸的形状的部分)而成的形状。在该情况下,连接氮化物半导体发光元件的n型电极与电路板的n型电极的连接体配置在p型电极的相邻的带状部之间、带状部的宽度方向中心线的延长线上(例如,参照专利文献1)。
专利文献1:日本特开2001-237458号公报
发明内容
对于半导体发光装置,要求使发光量在发光面均匀。作为发光量的不均匀性的原因之一,可举出在p型电极和n型电极之间流动的电流局部集中而导致不均匀。此外,为了抑制由装置内的温度不均引起的局部的装置破坏、光量的不均匀,也要求使自发光面的散热性(热阻)均匀。
本发明的课题在于,作为半导体发光元件的多个第二电极(在俯视状态下相邻地形成的两种电极中的一种电极)的平面形状为带状的半导体发光装置或半导体发光元件的第二电极为包含带状部的平面形状的半导体发光装置,提供抑制了电流和散热的不均匀性的半导体发光装置。
为了达成上述课题,本发明的第一技术方案的半导体发光装置具有下述的构成要素(a)~(e)。
(a)具有形成在基板的一面上的半导体发光元件。该半导体发光元件具有第一电极和多个第二电极,该第一电极与多个第二电极在俯视状态下相邻地形成。
(b)具有基体,该基体具有与基板的一面相对的相对面。在该相对面形成有与第一电极相对应的第三电极和与多个第二电极相对应的第四电极。
(c)具有将第一电极和第三电极电连接起来的第一连接体。具有将多个第二电极和第四电极电连接起来的第二连接体。
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