[发明专利]一种偏置电路

权利要求书

1.一种偏置电路，其特征在于，包含：

正温度系数偏置电流产生电路，其产生具有正温度系数的偏置电流I_B1；

负温度系数偏置电流产生电路，其产生具有负温度系数的偏置电流I_B2；

恒温电压产生电路，其产生与正温度系数偏置电流I_B1和负温度系数偏置电流I_B2相关的恒温电压Vref；

恒温电流产生电路，其产生与正温度系数偏置电流I_B1和负温度系数偏置电流I_B2相关的恒温电流Iref；

所述的正温度系数偏置电流产生电路包含：

第一晶体管M1，其源极和栅极连接第一电阻R_B1，漏极接地；

第二晶体管M2，其源极连接第五晶体管M5的漏极，栅极连接第四晶体管M4的漏极，漏极接地；

第三晶体管M3，其源极连接第六晶体管M6的漏极和栅极，以及第五晶体管M5的栅极和第四晶体管M4的栅极，栅极连接第五晶体管M5的漏极和第二晶体管M2的源极，漏极接地；

第四晶体管M4，其源极连接电源，栅极连接第六晶体管M6的栅极和第五晶体管M5的栅极，漏极连接第一电阻RB1和第二晶体管M2的栅极；

第五晶体管M5，其源极连接电源，栅极连接第六晶体管M6的栅极和第四晶体管M4的栅极，漏极连接第二晶体管M2的源极和第三晶体管M3的栅极；

第六晶体管M6，其源极连接电源，栅极连接第三晶体管M3的源极，第四晶体管M4的栅极和第五晶体管M5的栅极，漏极连接第三晶体管M3的源极；

第一电阻RB1，其串联在第一晶体管M1的源极和第四晶体管M4的漏极之间，第一电阻RB1上流过具有正温度系数的偏置电流I_B1；

所述的负温度系数偏置电流产生电路包含：

第七晶体管M7，其源极连接第八晶体管M8的栅极和第十一晶体管M11的漏极，栅极连接第十晶体管M10的漏极，漏极接地；

第八晶体管M8，其源极连接第九晶体管M9的漏极和栅极，以及第十晶体管M10的栅极，栅极连接第七晶体管M7的源极和第十一晶体管M11的漏极，漏极接地；

第九晶体管M9，其源极连接电源，栅极连接第八晶体管M8的源极和第十晶体管M10的栅极，漏极连接第八晶体管M8的源极；

第十晶体管M10，其源极连接电源，栅极连接第九晶体管M9的栅极和第八晶体管M8的源极，漏极连接第二电阻RB2；

第十一晶体管M11，其源极连接电源，栅极连接第三晶体管M3的源极、第六晶体管M6的漏极，以及第六晶体管M6的栅极、第五晶体管M5的栅极和第四晶体管M4的栅极，漏极连接第七晶体管M7的源极和第八晶体管M8的栅极；

第二电阻RB2，其一端串联第十晶体管M10的漏极，另一端接地，第二电阻RB2上流过具有负温度系数的偏置电流I_B2；

所述的恒温电压产生电路包含：

第十二晶体管M12，其源极连接电源，栅极连接第八晶体管M8的源极，以及第九晶体管M9的栅极和第十晶体管M10的栅极，漏极连接第十三晶体管M13的漏极；

第十三晶体管M13，其源极连接电源，栅极连接第三晶体管M3的源极、第六晶体管M6的漏极，以及第六晶体管M6的栅极、第五晶体管M5的栅极、第四晶体管M4的栅极和第十一晶体管M11的栅极，漏极连接第十二晶体管M12的漏极；

第三电阻R，其一端串联第十二晶体管M12和第十三晶体管M13的漏极，另一端接地；

具有正温度系数的偏置电流I_B1和具有负温度系数的偏置电流I_B2经过第十二晶体管M12和第十三晶体管M13的镜像，流过第三电阻R产生恒温电压Vref；

所述的恒温电流产生电路包含：

第十四晶体管M14，其源极连接电源，栅极连接第八晶体管M8的源极，以及第九晶体管M9的栅极、第十晶体管M10的栅极和第十二晶体管M12的栅极，漏极连接第十五晶体管M15的漏极；

第十五晶体管M15，其源极连接电源，栅极连接第三晶体管M3的源极、第六晶体管M6的漏极，以及第六晶体管M6的栅极、第五晶体管M5的栅极、第四晶体管M4的栅极、第十一晶体管M11的栅极和第十三晶体管M13的栅极，漏极连接第十四晶体管M14的漏极；

具有正温度系数的偏置电流I_B1和具有负温度系数的偏置电流I_B2经过第十四晶体管M14和第十五晶体管M15的镜像，产生恒温电流Iref。