[发明专利]主动注入电流触发锁定的静电芯片保护电路

权利要求书

1.主动注入电流触发锁定的静电芯片保护电路其特征在于：包括触发电路和箝位开关电路。

2.芯片的静电(ESD) 保护设计其特征在于，具体地指一种主动注入电流从而触发箝位开关（CMOS锁定或寄生NPN打开）以提高保护效能。

3.一种符合权利要求2 的主动注入电流触发锁定的静电芯片保护电路其特征在于：触发电路包括RC电路，必要的反相/驱动电路和NMOS场效应管组成，MOS 管的D极与IO端口相连， 极与P 井连接。

4.一种符合权利要求2和3的主动注入电流触发锁定的静电芯片保护电路其特征在于，当ESD高速脉冲来到端口，其斜率足以使RC电路足够快地达到后级的阈值，NMOS导通， 电流通过NMOS注入P 井， 使P 井电位上升， 促使箝位开关打开。

5.一种符合权利要求2 的主动注入电流触发锁定的静电芯片保护电路其特征在于：箝位开关可以由寄生的SCR或 NPN三极管构成，PN 可以用N+/P井/N+ 也可用 N+/P井/N井 或组合。

6.以上实例均设P 衬底对 N 衬底的工艺，P/N对调后本发明同样适用。