[发明专利]具有静电防护能力的晶体管器件及其制造方法

权利要求书

1.一种具有静电防护能力的晶体管器件的制造方法，其特征在于，所述具有静电防护能力的晶体管器件的制造方法包括：

提供一半导体衬底，所述半导体衬底中包括一第一阱区，所述第一阱区为N型阱区，所述第一阱区上形成有一第一栅极结构和位于所述第一栅极结构两相对侧的一第一侧墙结构，所述第一阱区中形成有位于所述第一栅极结构两相对侧的一第一轻掺杂源结构区和一第一轻掺杂漏结构区，所述第一阱区中还形成有位于所述第一侧墙结构两相对外侧的一第一源极结构区和一第一漏极结构区；及

执行一离子注入工艺，以在所述第一漏极结构区下方的所述第一阱区中形成一第一附加注入区，所述第一附加注入区与所述第一漏极结构区的底部相连并对准所述第一漏极结构区的接触区域。

2.如权利要求1所述的具有静电防护能力的晶体管器件的制造方法，其特征在于，在与所述第一源极结构区和所述第一漏极结构区的分布方向相垂直的方向，所述第一附加注入区延伸至所述第一阱区的边界。

3.如权利要求1所述的具有静电防护能力的晶体管器件的制造方法，其特征在于，所述具有静电防护能力的晶体管器件的制造方法还包括：

形成一第一源极接触结构和一第一漏极接触结构在所述第一阱区上，所述第一源极接触结构在所述第一源极结构区的接触区域与所述第一源极结构区电连接，所述第一漏极接触结构在所述第一漏极结构区的接触区域与所述第一漏极结构区电连接；及

形成一金属层在所述半导体衬底上，所述金属层包括与所述第一源极接触结构电连接的一第一金属部和与所述第一漏极接触结构电连接的一第二金属部。

4.如权利要求3所述的具有静电防护能力的晶体管器件的制造方法，其特征在于，所述半导体衬底中还包括一第二阱区，所述第二阱区为P型阱区，所述第二阱区上形成有一第二栅极结构和位于所述第二栅极结构两相对侧的一第二侧墙结构，所述第二阱区中形成有位于所述第二栅极结构两相对侧的一第二轻掺杂源结构区和一第二轻掺杂漏结构区，所述第二阱区中还形成有位于所述第二侧墙结构两相对外侧的一第二源极结构区和一第二漏极结构区；

执行所述离子注入工艺以在所述第一漏极结构区下方的所述第一阱区中形成所述第一附加注入区时，还在所述第二轻掺杂漏结构区下方的所述第二阱区中形成一第二附加注入区，所述第二附加注入区自所述第二轻掺杂漏结构区靠近所述第二栅极结构的端部与所述第二轻掺杂漏结构区的底部相连。

5.如权利要求4所述的具有静电防护能力的晶体管器件的制造方法，其特征在于，所述第二附加注入区延伸至所述第二漏极结构区靠近所述第二栅极结构的端部与所述第二漏极结构区相连。

6.如权利要求4所述的具有静电防护能力的晶体管器件的制造方法，其特征在于，在与所述第二源极结构区和所述第二漏极结构区的分布方向相垂直的方向，所述第二附加注入区延伸至所述第二阱区的边界。

7.如权利要求4所述的具有静电防护能力的晶体管器件的制造方法，其特征在于，所述第二附加注入区在所述第二阱区中的深度深于所述第二漏极结构区在所述第二阱区中的深度。

8.如权利要求4所述的具有静电防护能力的晶体管器件的制造方法，其特征在于，形成所述第一源极接触结构和所述第一漏极接触结构在所述第一阱区上时，还形成一第二源极接触结构和一第二漏极接触结构在所述第二阱区上，所述第二源极接触结构在所述第二源极结构区的接触区域与所述第二源极结构区电连接，所述第二漏极接触结构在所述第二漏极结构区的接触区域与所述第二漏极结构区电连接；

所述金属层还包括与所述第二源极接触结构电连接的一第三金属部和与所述第二漏极接触结构电连接的一第四金属部。