[发明专利]半导体装置

说明书

本发明实施例关于半导体装置与其形成方法，更特别关于半导体装置中的层间介电层。在一例中，层间介电层位于基板上，并包含介电物。介电物的介电常数小于约3.3，且介电物的硬度为至少约3GPa。半导体装置亦包含内连线形成于层间介电层中。

技术领域

本公开实施例关于半导体装置与其形成方法，更特别关于半导体装置中的层间介电层。

背景技术

半导体制程技术可采用介电材料作为电路(如集成电路)与电路构件之间的绝缘层。举例来说，介电材料可用于半导体装置的多层内连线结构其内连线层之间。这些介电材料可称作“层间介电层”，亦可称作“金属间介电层”。随着半导体装置构件的尺寸缩小，使相邻的结构之间彼此隔离变得更关键也更困难。因此层间介电层的设计为克服挑战的关键。

发明内容

本公开一实施例提供的半导体装置，包括基板；第一层间介电层，位于基板上，其中第一层间介电层包括第一介电物，第一介电物的介电常数小于约3.3，且第一介电物的硬度为至少约3GPa；以及内连线，形成于第一层间介电层中。

附图说明

图1是一些实施例中，例示性半导体装置的剖视图。

图2A至图2F是一些实施例中，制作部分的例示性半导体装置的剖视图。

图3是一些实施例中，与腔室中射频放电功率与流速之间的比例以及压力相关的电弧。

图4是一些实施例中，用于形成层间介电层的例示性设备。

图5是一些实施例中，用于形成半导体装置的例示性方法的流程图。

其中，附图标记说明如下：

100、200 半导体装置

102 基板

104 介电层

106 接点

108 第一蚀刻停止层、

110 第一层间介电层

112 通孔

114 线路

116 第二蚀刻停止层

118 第二层间介电层

202 硬遮罩层

204 光刻胶

206 图案化光刻胶

208 图案化硬遮罩层

210 孔洞

212 沟槽

214 阻障层

216 导电材料

400 设备

401 腔室

403 气体输入区

405 控制器

407 平台

409 排气端

411 喷洒头

413 射频源

415 气体管路

417 机构

419、421 连接器

500 方法

502，504，506，508，510 步骤

具体实施方式