[发明专利]一种集中电流注入的VCSEL芯片及其制备方法

权利要求书

1.一种集中电流注入的VCSEL芯片，其特征在于，包括：

衬底；

位于所述衬底上的外延结构，所述外延结构包括位于所述衬底表面依次层叠设置的量子阱层、限制层和电极接触层；所述限制层包括导电结构和位于所述导电结构两侧的氧化结构

位于所述电极接触层背离所述衬底一侧，部分覆盖所述电极接触层的电流集中层，所述电流集中层在所述衬底上的正投影，位于所述导电结构在所述衬底上的正投影中；

位于所述电流集中层两侧，覆盖所述电极接触层的裸露表面以及部分所述电流集中层侧壁的绝缘层；

覆盖所述绝缘层、所述电流集中层顶表面和部分侧壁的电连接层；

位于所述电连接层背离所述衬底一侧，且部分覆盖所述电连接层的电极结构，所述电连接层未被所述电极结构覆盖的区域在所述衬底上的正投影覆盖所述电极接触层在所述衬底上的正投影。

2.根据权利要求1所述的集中电流注入的VCSEL芯片，其特征在于，所述电流集中层为磷化镓层。

3.根据权利要求1所述的集中电流注入的VCSEL芯片，其特征在于，所述外延结构还包括：

位于所述衬底与所述量子阱层之间的第一型反射层；

位于所述限制层和电极接触层之间的第二型反射层。

4.根据权利要求3所述的集中电流注入的VCSEL芯片，其特征在于，所述第一型反射层为N型分布式布拉格反射镜DBR层；

所述第二型反射层为P型DBR层。

5.根据权利要求1所述的集中电流注入的VCSEL芯片，其特征在于，所述电极接触层为砷化镓层；

所述导电结构为砷化铝结构；

所述绝缘层为氮化硅层或氧化硅层；

所述电连接层为氧化铟锡层；

所述衬底为砷化镓衬底。

6.一种集中电流注入的VCSEL芯片的制备方法，其特征在于，包括：

提供衬底；

在所述衬底上依次形成量子阱层、导电结构和电极接触层，所述导电结构覆盖所述量子阱层；

对所述导电结构进行氧化处理，以将导电结构的两端氧化形成氧化结构，所述氧化结构和剩余的所述导电结构构成限制层，所述量子阱层、限制层和电极接触层构成外延结构；

在所述外延结构背离所述衬底一侧形成电流集中层，所述电流集中层部分覆盖所述电极接触层，所述电流集中层在所述衬底上的正投影，位于所述导电结构在所述衬底上的正投影中；

形成位于所述电流集中层两侧，覆盖所述电极接触层的裸露表面以及部分所述电流集中层侧壁的绝缘层；

形成覆盖所述绝缘层、所述电流集中层顶表面和部分侧壁的电连接层；

形成位于所述电连接层背离所述衬底一侧，且部分覆盖所述电连接层的电极结构，所述电连接层未被所述电极结构覆盖的区域在所述衬底上的正投影覆盖所述电极接触层在所述衬底上的正投影。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述对所述导电结构进行氧化处理包括：

对所述导电结构进行湿法氧化处理。

8.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述在所述外延结构背离所述衬底一侧形成电流集中层包括：

测量所述导电结构的正投影在所述衬底上的覆盖区域；

形成覆盖所述电极接触层的电流集中层，并对所述电流集中层进行刻蚀，以使保留下来的电流集中层在所述衬底上的正投影，位于所述导电结构在所述衬底上的正投影中。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述形成覆盖所述电极接触层的电流集中层，并对所述电流集中层进行刻蚀，以使保留下来的电流集中层在所述衬底上的正投影，位于所述导电结构在所述衬底上的正投影中包括：

形成覆盖所述电极接触层的磷化镓层；

对所述磷化镓层进行刻蚀，以使保留下来的磷化镓层在所述衬底上的正投影，位于所述导电结构在所述衬底上的正投影中。