[发明专利]半导体器件和制造其的方法

说明书

一种制造半导体器件的方法和一种半导体器件，该方法包括：在衬底上形成有源图案，使得有源图案包括交替地且重复地堆叠在衬底上的牺牲图案和半导体图案；以及通过执行氧化工艺，在每个牺牲图案的两侧形成第一间隔物图案，其中第一间隔物图案对应于每个牺牲图案的氧化部分，其中牺牲图案包括包含杂质的第一半导体材料，其中半导体图案包括与第一半导体材料不同的第二半导体材料，以及其中杂质包括与第一半导体材料和第二半导体材料的半导体元素不同的元素。

技术领域

实施方式涉及半导体器件和制造其的方法。

背景技术

半导体器件可以包括包含金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的集成电路。随着半导体器件的尺寸和设计规则已减小，MOSFET已按比例缩小。

发明内容

实施方式可以通过提供一种制造半导体器件的方法来实现，该方法包括：在衬底上形成有源图案，使得有源图案包括交替地且重复地堆叠在衬底上的牺牲图案和半导体图案；以及通过执行氧化工艺，在每个牺牲图案的两侧形成第一间隔物图案，其中第一间隔物图案对应于每个牺牲图案的氧化部分，其中牺牲图案包括包含杂质的第一半导体材料，其中半导体图案包括与第一半导体材料不同的第二半导体材料，以及其中杂质包括与第一半导体材料和第二半导体材料的半导体元素不同的元素。

实施方式可以通过提供一种制造半导体器件的方法来实现，该方法包括：在衬底上形成在第一方向上延伸的初始有源图案，使得初始有源图案包括交替地且重复地堆叠在衬底上的初始牺牲图案和初始半导体图案；在衬底上形成牺牲栅极图案，使得牺牲栅极图案在交叉第一方向的第二方向上延伸以交叉初始有源图案；去除初始有源图案的在牺牲栅极图案两侧的部分，以在牺牲栅极图案下方形成有源图案，使得有源图案包括交替地且重复地堆叠的牺牲图案和半导体图案；以及氧化有源图案的两个侧壁，以在每个牺牲图案的两侧形成第一间隔物图案同时在每个半导体图案的两侧形成第二间隔物图案，其中初始牺牲图案和牺牲图案包括包含杂质的第一半导体材料，其中初始半导体图案和半导体图案包括与第一半导体材料不同的第二半导体材料，以及其中杂质包括与第一半导体材料和第二半导体材料的半导体元素不同的元素。

实施方式可以通过提供一种半导体器件来实现，该半导体器件包括：在衬底上的沟道图案，沟道图案包括在垂直于衬底的顶表面的方向上彼此间隔开的多个半导体图案；源极/漏极图案，在衬底上彼此间隔开且沟道图案介于其间；栅电极，覆盖沟道图案的最顶表面并夹置在半导体图案之间；间隔物图案，提供在所述多个半导体图案的每个下方并且彼此间隔开且栅电极介于其间，其中每个间隔物图案设置在每个源极/漏极图案与栅电极之间，其中间隔物图案包括包含杂质的氧化物，以及其中杂质包括铝(Al)、镓(Ga)、锑(Sb)、砷(As)、铟(In)、锆(Zr)、铪(Hf)或钽(Ta)。

附图说明

通过参照附图详细描述示例性实施方式，特征对本领域技术人员将明显，附图中：

图1示出根据一些实施方式的半导体器件的俯视图。

图2示出沿图1的线I-I'和II-II'截取的剖视图。

图3A和3B示出图2的部分“A”的放大图。

图4至11示出与图1的线I-I'和II-II'对应的剖视图，以显示根据一些实施方式的制造半导体器件的方法中的阶段。

图12A和12B示出图7的部分“B”的放大图。

图13和14示出与图1的线I-I'和II-II'对应的剖视图，以显示根据一些实施方式的制造半导体器件的方法中的阶段。

图15A和15B示出图13的部分“C”的放大图。

具体实施方式

在下文中，将参照附图详细描述实施方式。