[发明专利]半导体器件和制造其的方法

权利要求书

1.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：

在衬底上形成有源图案，使得所述有源图案包括交替地且重复地堆叠在所述衬底上的牺牲图案和半导体图案；以及

通过执行氧化工艺，在每个所述牺牲图案的两侧形成第一间隔物图案，

通过执行所述氧化工艺，在每个所述半导体图案的两侧形成第二间隔物图案；

其中所述第一间隔物图案对应于每个所述牺牲图案的氧化部分，所述第二间隔物图案对应于每个所述半导体图案的氧化部分，

其中所述牺牲图案包括包含杂质的第一半导体材料，

其中所述半导体图案包括与所述第一半导体材料不同的第二半导体材料，

其中所述杂质包括与所述第一半导体材料和所述第二半导体材料的半导体元素不同的元素，以及

其中所述第一间隔物图案包括所述杂质。

2.如权利要求1所述的方法，其中所述第一间隔物图案包括包含所述杂质的氧化物。

3.如权利要求1所述的方法，其中：

每个所述第一间隔物图案具有在平行于所述衬底的顶表面的方向上的厚度，以及

每个所述第二间隔物图案具有在平行于所述衬底的所述顶表面的所述方向上的厚度，以及

所述第一间隔物图案的厚度大于所述第二间隔物图案的厚度。

4.如权利要求3所述的方法，还包括：

选择性地去除所述第二间隔物图案；

去除所述牺牲图案以形成空区域，使得每个空区域被限定在彼此横向地间隔开的第一间隔物图案之间；以及

在所述空区域中形成栅电极。

5.如权利要求3所述的方法，还包括：

去除所述第一间隔物图案和所述第二间隔物图案以形成分别暴露每个所述牺牲图案的两侧壁的凹陷区域；以及

分别在所述凹陷区域中形成间隔物图案，

其中每个所述凹陷区域暴露每个所述牺牲图案的一个侧壁以及所述半导体图案中的相邻半导体图案的每个的顶表面或底表面。

6.如权利要求5所述的方法，其中形成所述间隔物图案包括：

在所述衬底上形成填充所述凹陷区域的间隔物层；以及

各向异性地蚀刻所述间隔物层以分别在所述凹陷区域中局部地形成所述间隔物图案。

7.如权利要求6所述的方法，还包括：

去除所述牺牲图案以形成空区域，使得每个空区域被限定在彼此横向地间隔开的所述间隔物图案之间；以及

在所述空区域中形成栅电极。

8.如权利要求1所述的方法，其中：

所述有源图案包括在第一方向上彼此相反的第一侧壁以及在交叉所述第一方向的第二方向上彼此相反的第二侧壁，所述第一方向和所述第二方向平行于所述衬底的顶表面，

所述方法还包括：

形成在所述衬底上并且覆盖所述有源图案的所述第二侧壁和顶表面的牺牲栅极图案；以及

分别在所述牺牲栅极图案的两侧在所述有源图案的所述第一侧壁上形成源极/漏极图案，以及

在所述牺牲栅极图案的形成之后且在所述源极/漏极图案的形成之前，执行所述氧化工艺。

9.如权利要求1所述的方法，其中所述杂质包括铝(Al)、镓(Ga)、锑(Sb)、砷(As)、铟(In)、锆(Zr)、铪(Hf)或钽(Ta)。