[发明专利]一种双面氧化铝结构的PERC双面电池及其制备方法

权利要求书

1.一种双面氧化铝结构的PERC双面电池的制备方法，所述PERC双面电池包括硅片和设于硅片正面的正电极，所述硅片正面依次设有正面二氧化硅层、正面氧化铝膜和减反膜；所述硅片的背面依次形成有背面二氧化硅层、背面氧化铝膜、钝化膜和背电极；其特征在于：其制备方法包括如下步骤：

1）清洗、制绒；

2）磷扩散制备pn结；

3）背面抛光、刻蚀，去PSG；

4）退火氧化，将硅片以背靠背方式插片送入炉管内，在500-750℃温度下进行退火氧化，控制退火氧化时间在10-20min，使硅片正面生长的二氧化硅层厚度大于3nm，硅片背面生长的二氧化硅层厚度小于3nm；

5）双面镀氧化铝膜，采用Temporal ALD方式，将硅片单插方式在ALD腔室内，真空条件下周期性通入TMA、N2、H2O双面沉积氧化铝膜；

6）正面减反膜沉积；

7）背面钝化膜沉积；

8）激光开槽；

9）丝网印刷、烧结。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述正面二氧化硅层厚度控制在大于3nm小于5nm，背面二氧化硅层厚度控制在1-2nm。