[发明专利]红外光探测器及其制作方法

权利要求书

1.一种红外光探测器，其特征在于，包括第一电极(A)、多个第二电极(B)、N型衬底(1)以及依序叠层于所述N型衬底(1)的第一表面上的N型超晶格吸收层(2)、N型超晶格势垒层(3)和N型超晶格接触层(4)，所述N型超晶格接触层(4)中形成有多个P型超晶格接触部(4a)，多个所述P型超晶格接触部(4a)彼此独立，所述第一电极(A)设置于所述N型衬底(1)的与所述第一表面相对的第二表面上，多个所述第二电极(B)彼此独立，每个所述P型超晶格接触部(4a)上设置对应的一个所述第二电极(B)；

其中，所述N型超晶格势垒层(3)、所述N型超晶格接触层(4)和所述N型超晶格吸收层(2)的有效带宽依序递减；

其中，所述N型超晶格吸收层(2)、所述N型超晶格势垒层(3)和所述N型超晶格接触层(4)的材料均为掺杂Si的N型的InAs/GaSb超晶格材料或N型的InAs/InAsSb超晶格材料。

2.根据权利要求1所述的红外光探测器，其特征在于，所述红外光探测器还包括设置在所述N型超晶格接触层(4)上的绝缘层(5)，所述绝缘层(5)中具有多个开口(51)，每个所述P型超晶格接触部(4a)正对着一个开口(51)。

3.根据权利要求1或2所述的红外光探测器，其特征在于，所述N型超晶格接触层(4)包括彼此独立的多个掺杂区，所述掺杂区被进行P型掺杂以形成所述P型超晶格接触部(4a)。

4.根据权利要求3所述的红外光探测器，其特征在于，所述掺杂区被进行P型掺杂的方式是以Zn扩散于所述掺杂区内，其中，Zn在所述掺杂区内的扩散速度大于Zn在所述N型超晶格势垒层(3)内的扩散速度，Zn扩散至所述N型超晶格接触层(4)和所述N型超晶格势垒层(3)的接触面。

5.一种红外光探测器的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：

在N型衬底(1)的第一表面上形成依序叠层的N型超晶格吸收层(2)、N型超晶格势垒层(3)和N型超晶格接触层(4)；

在所述N型超晶格接触层(4)中形成多个P型超晶格接触部(4a)，多个所述P型超晶格接触部(4a)彼此独立；

在所述N型衬底(1)的与所述第一表面相对的第二表面上形成第一电极(A)；

在每个所述P型超晶格接触部(4a)上形成对应的第二电极(B)；

其中，所述N型超晶格吸收层(2)、所述N型超晶格势垒层(3)和所述N型超晶格接触层(4)的材料均为掺杂Si的N型的InAs/GaSb超晶格材料或N型的InAs/InAsSb超晶格材料，其中，所述N型超晶格势垒层(3)、所述N型超晶格接触层(4)和所述N型超晶格吸收层(2)的有效带宽依序递减。

6.根据权利要求5所述的红外光探测器的制作方法，其特征在于，所述在所述N型超晶格接触层(4)中形成多个P型超晶格接触部(4a)的方法包括：

在所述N型超晶格接触层(4)上形成绝缘层(5)；

在所述绝缘层(5)中形成多个开口(51)；

通过所述开口(51)对所述N型超晶格接触层(4)的与所述开口(51)正对的掺杂区进行P型掺杂，以形成多个所述P型超晶格接触部(4a)。

7.根据权利要求6所述的红外光探测器的制作方法，其特征在于，所述通过所述开口(51)对所述N型超晶格接触层(4)的与所述开口(51)正对的掺杂区进行P型掺杂的方法包括：通过所述开口(51)以Zn扩散于所述掺杂区内，其中，Zn在所述掺杂区内的扩散速度大于Zn在所述N型超晶格势垒层(3)内的扩散速度，Zn扩散至所述N型超晶格接触层(4)和所述N型超晶格势垒层(3)的接触面。