[发明专利]一种抗高压直流-直流降压转换器

权利要求书

1.一种抗高压直流-直流降压转换器，包括一带有无源电平转换器的功率晶体管、一片外电感、一片外RC负载网络、一电压反馈模块、一零电流检测器和两缓冲级，带有无源电平转换器的功率晶体管包含N型晶体管和P型晶体管，N型晶体管和P型晶体管的输入端各与一缓冲级的输出端相连，带有无源电平转换器的功率晶体管的输出端与片外电感的一端和零电流检测器的输入端相连，零电流检测器的输出端与连接于N型晶体管的缓冲级的输入端相连，片外电感的另一端与片外RC负载网络的输入端相连，片外RC负载网络的输出端与电压反馈模块的输入端相连，电压反馈模块的输出端与连接于P型晶体管的缓冲级的输入端相连。

2.如权利要求1所述的抗高压直流-直流降压转换器，其特征在于，N型晶体管和P型晶体管漏极相连，N型晶体管的源极与体端相连接地，P型晶体管的源极与体端相连接外部供电电压。

3.如权利要求1所述的抗高压直流-直流降压转换器，其特征在于，无源电平转换器包括一片上电容、一晶体管栅等效电容、以及两个串联电阻，每个串联电阻由两个MOhm量级的大电阻串联，用于构成分压结构；片上电容串接在N型晶体管栅端，一串联电阻的一大电阻与片上电容并联构成输入端，另一大电阻与N型晶体管源极相连，两大电阻之间的一中间节点与N型晶体管栅端相连以及与片上电容的连接于N型晶体管栅端的一端相连；晶体管栅等效电容串接在P型晶体管栅端，另一串联电阻的一大电阻与晶体管栅等效电容并联构成输入端，另一大电阻与P型晶体管源极相连，两大电阻之间的一中间节点与P型晶体管栅端相连以及与晶体管栅等效电容的连接于P型晶体管栅端的一端相连。

4.如权利要求1所述的抗高压直流-直流降压转换器，其特征在于，无源电平转换器的每个电阻可由两个串联的反偏二极管接法的MOS管代替。

5.如权利要求1所述的抗高压直流-直流降压转换器，其特征在于，N型晶体管和P型晶体管均采用源漏扩展的LDMOS结构。

6.如权利要求1所述的抗高压直流-直流降压转换器，其特征在于，N型晶体管和P型晶体管均采用厚栅氧MOS管和普通薄栅氧MOS管串联，各厚栅氧MOS管栅极外加一偏置电压。

7.如权利要求1所述的抗高压直流-直流降压转换器，其特征在于，零电流检测器包括一低功耗的比较器和一2输入1输出的与逻辑门；比较器的正输入极接地，负输入极作为零电流检测器的输入端接带有无源电平转换器的功率晶体管的输出端，比较器的输出端接与逻辑门的一输入端，与逻辑门的另一输入端与电压反馈模块的输出端及P型晶体管所连接的缓冲级的输入端相连，逻辑门的输出端与N型晶体管所连接的缓冲级的输入端相连。

8.如权利要求1所述的抗高压直流-直流降压转换器，其特征在于，电压反馈模块包括一SR锁存器和一比较器，比较器的负输入端接参考电平，正输入端接片外RC负载网络的输出端，比较器的输出端与SR锁存器的复位输入端相连，SR锁存器的选通端接入参考时钟信号，SR锁存器的非输出端与连接于P型晶体管的缓冲级的输入端和零电流检测器的输入端相连。

9.如权利要求1所述的抗高压直流-直流降压转换器，其特征在于，片外RC负载网络由负载电容、可变负载电阻、串联分压电阻并联构成，其中串联分压电阻的中间节点作为输出端与电压反馈模块中的比较器的正输入端相连。

10.如权利要求1所述的抗高压直流-直流降压转换器，其特征在于，缓冲级由多级反相器串联构成。