[发明专利]光掩模及其修正方法、制造方法、显示装置的制造方法有效
| 申请号: | 201811056319.0 | 申请日: | 2018-09-11 |
| 公开(公告)号: | CN109491193B | 公开(公告)日: | 2022-05-03 |
| 发明(设计)人: | 三好将之;一之濑敬 | 申请(专利权)人: | HOYA株式会社 |
| 主分类号: | G03F1/26 | 分类号: | G03F1/26 |
| 代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 黄纶伟;于英慧 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 光掩模 及其 修正 方法 制造 显示装置 | ||
1.一种光掩模的修正方法,该光掩模具备在透明基板上形成的转印用图案,
该光掩模的修正方法的特征在于,
所述转印用图案包括:
主图案,其由透光部构成,直径为W1(μm);
辅助图案,其配置在所述主图案的附近,不被曝光装置析像,具备宽度d(μm);及
遮光部,其构成除了所述主图案和所述辅助图案之外的区域,
所述遮光部是在所述透明基板上至少形成遮光膜而成的,
所述辅助图案具有针对曝光用光的代表波长的光的透射率T(%),并隔着所述遮光部而将所述主图案的周围包围,
所述代表波长的光在所述辅助图案上的透射光相对于所述代表波长的光在所述主图案上的透射光,相位差为大致180度,
在所述辅助图案产生黑缺陷时,进行扩张所述主图案的宽度的扩张修正。
2.根据权利要求1所述的光掩模的修正方法,其特征在于,
所述扩张修正使由于产生所述黑缺陷而下降的所述转印用图案的光学性能至少恢复一部分。
3.根据权利要求2所述的光掩模的修正方法,其特征在于,
所述光学性能包括所述转印用图案的透射光在被转印体上形成的光强度分布的峰值高度、焦点深度及曝光宽容度中的任意项。
4.根据权利要求1-3中的任一项所述的光掩模的修正方法,其特征在于,
所述黑缺陷超过所述辅助图案的面积的1/8。
5.根据权利要求1-3中的任一项所述的光掩模的修正方法,其特征在于,
所述辅助图案是在所述透明基板上形成半透光膜而成的,该半透光膜具有针对所述代表波长的光的透射率T(%),并且具备将所述代表波长的光大致偏移180度的相位特性。
6.根据权利要求1-3中的任一项所述的光掩模的修正方法,其特征在于,
所述黑缺陷是由于在所述辅助图案中产生的白缺陷部分上形成遮光性的补充膜而产生的黑缺陷。
7.根据权利要求1-3中的任一项所述的光掩模的修正方法,其特征在于,
通过所述扩张修正而增加的主图案的面积为由于所述黑缺陷而丧失的辅助图案的面积S1的5%以下。
8.根据权利要求1-3中的任一项所述的光掩模的修正方法,其特征在于,
所述扩张修正是通过使正方形的主图案的四条边中的至少一条边向遮光部侧后退而进行的。
9.根据权利要求1-3中的任一项所述的光掩模的修正方法,其特征在于,
所述扩张修正是通过激光烧蚀或离子束蚀刻而去除遮光膜的边缘而进行的。
10.根据权利要求1-3中的任一项所述的光掩模的修正方法,其特征在于,
所述辅助图案配置在所述主图案的附近,通过透过所述辅助图案的光,使透过所述主图案的所述曝光用光在被转印体上形成的光强度分布发生变化,从而增加焦点深度。
11.根据权利要求1-3中的任一项所述的光掩模的修正方法,其特征在于,
所述转印用图案满足下述的式(1)
0.8≤W1≤4.0…(1)。
12.根据权利要求1-3中的任一项所述的光掩模的修正方法,其特征在于,
所述转印用图案满足下述的式(2)
13.根据权利要求1-3中的任一项所述的光掩模的修正方法,其特征在于,
在将所述主图案的中心与所述辅助图案的宽度方向的中心之间的距离设为P(μm)时,所述转印用图案满足下述的式(3)
1.0P≤5.0…(3)。
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G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备





