[发明专利]一种融合SMT的SIP集成电路封装方法

说明书

本发明涉及的一种融合SMT的SIP集成电路封装结构，其特征在于它包括金属引线框架，金属引线框架上通过锡膏焊接有源器件和无源器件，金属引线框架上通过银胶粘贴芯片。有源器件为分立器件或者集成电路，无源器件为电阻、电感或者电容，分立器件为二极管、三极管、MOS管或者可控硅。本发明的一种融合SMT的SIP集成电路封装结构具有提高生产效率，降低生产成本，保证生产产品质量的优点。

技术领域

本发明涉及一种融合SMT的SIP集成电路封装方法。

背景技术

传统的SIP集成电路封装结构一般单独采用一级封装或者二级封装中的一种形式进行生产。

一级封装，是指元器件和多种芯片在金属引线框架上做的封装，芯片通过银胶安装在引线框架上。

二级封装，是指各种元器件和集成电路，通过SMT方式焊接在线路板上。SMT是表面组装技术(表面贴装技术)(Surface Mount Technology的缩写)，称为表面贴装或表面安装技术。是目前电子组装行业里最流行的一种技术和工艺。SMT是一种将无引脚或短引线表面组装元器件(简称SMC/SMD，中文称片状元器件)安装在印制电路板(Printed CircuitBoard，PCB)的表面或其它基板的表面上，通过回流焊或浸焊等方法加以焊接组装的电路装连技术。PCB板精度不够不符合摩尔定律，二级封装存在散热困难的缺陷。

一级封装多个半导体芯片和元器件在金属框架上封装都是采用装片银胶的方式，粘接在金属框架上。

而二级封装是采用锡膏将各种元器件和集成电路及接口焊接在线路板上的。

装片银胶工艺性能好，导电性能散热性能也相当优异。但是，在多种元器件封装时，有源器件如MOS，无源器件如电阻电容，和硅材料的芯片封装在同一封装体内时，0.05mm²焊接尺寸的电阻电容采用1mm级别的硅芯片的银胶装片工艺时，速度慢、精度低。

发明内容

本发明的目的在于克服上述不足，提供提高生产效率，降低生产成本，保证生产产品质量的一种融合SMT的SIP集成电路封装方法。

本发明的目的是这样实现的：

一种融合SMT的SIP集成电路封装方法，采用一种融合SMT的SIP集成电路封装结构的生产流水线进行作业，在金属引线框架上通过锡膏焊接有源器件和无源器件，金属引线框架上通过银胶粘贴芯片。

一种融合SMT的SIP集成电路封装结构的生产流水线，它从前之后依次包括引线框架上料装置、钢网印刷装置、第一AOI自动光学检测装置、有源器件安装装置、无源器件安装装置、回流焊装置、第二AOI自动光学检测装置、芯片安装装置、第一烘烤装置、键合装置、塑封装置、第二烘烤装置、打标装置、电镀装置、成型切筋装置、外观检测包装装置。

回流焊装置启用时内部充满氮气保护。

一种融合SMT的SIP集成电路封装结构的生产方法如下：

步骤一、引线框架上料装置将引线框架上料；

步骤二、钢网印刷装置通过钢网在引线框架上进行印刷；

步骤三、第一AOI自动光学检测装置对钢网印刷后的金属引线框架进行检测；

步骤四、有源器件安装装置在金属引线框架上安装有源器件；

步骤五、无源器件安装装置在金属引线框架上安装无源器件；

步骤六、在回流焊装置内将安装有源器件的金属引线框架进行回流焊，在此过程中回流焊装置内保持氮气保护，通过氮气保护的回流焊装置，使有源器件与金属框架紧密粘接；