[发明专利]一种融合SMT的SIP集成电路封装方法有效
| 申请号: | 201811050760.8 | 申请日: | 2018-09-10 |
| 公开(公告)号: | CN109273376B | 公开(公告)日: | 2020-04-17 |
| 发明(设计)人: | 张巧杏;袁野;全庆霄;潘小华;符爱风 | 申请(专利权)人: | 无锡豪帮高科股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60;H01L23/488;H01L21/67;H05K3/34 |
| 代理公司: | 北京中济纬天专利代理有限公司 11429 | 代理人: | 赵海波;曹键 |
| 地址: | 214000 *** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 融合 smt sip 集成电路 封装 方法 | ||
1.一种融合SMT的SIP集成电路封装方法,其特征在于采用一种融合SMT的SIP集成电路封装结构的生产流水线进行作业,在金属引线框架上通过锡膏焊接有源器件和无源器件,金属引线框架上通过银胶粘贴芯片,
一种融合SMT的SIP集成电路封装结构的生产流水线从前至后依次包括引线框架上料装置(101)、钢网印刷装置(102)、第一AOI自动光学检测装置(103)、有源器件安装装置(104)、无源器件安装装置(105)、回流焊装置(106)、第二AOI自动光学检测装置(107)、芯片安装装置(108)、第一烘烤装置(109)、键合装置(110)、塑封装置(111)、第二烘烤装置(112)、打标装置(113)、电镀装置(114)、成型切筋装置(115)、外观检测包装装置(116),
一种融合SMT的SIP集成电路封装方法的具体步骤如下:
步骤一、引线框架上料装置(101)将引线框架上料;
步骤二、钢网印刷装置(102)通过钢网在引线框架上进行印刷;
步骤三、第一AOI自动光学检测装置(103)对钢网印刷后的金属引线框架进行检测;
步骤四、有源器件安装装置(104)在金属引线框架上安装有源器件;
步骤五、无源器件安装装置(105)在金属引线框架上安装无源器件;
步骤六、在回流焊装置(106)内将安装有源器件的金属引线框架进行回流焊,在此过程中回流焊装置(106)内保持氮气保护,通过氮气保护的回流焊装置,使有源器件与金属框架紧密粘接;
步骤七、第二AOI自动光学检测装置(107)对回流焊完成的金属引线框架进行检测;有不合格之处记录至数据库,该处不进行后续芯片安装作业;
步骤八、芯片安装装置(108)将芯片在金属引线框架上进行安装,根据芯片的多少,芯片安装装置(108)可以设置有多组或者一组;
步骤九、第一烘烤装置(109)将粘贴芯片的金属引线框架进行烘烤;
步骤十、键合装置(110)对上述步骤完成的中间品进行键合作业;
步骤十一、塑封装置(111)对上述步骤完成的中间品进行塑封作业;
步骤十二、第二烘烤装置(112)对上述步骤完成的中间品进行烘烤作业;
步骤十三、打标装置(113)对上述步骤完成的中间品进行打标作业;
步骤十四、电镀装置(114)对上述步骤完成的中间品进行电镀作业;
步骤十五、成型切筋装置(115)对上述步骤完成的中间品进行成型切筋作业;
步骤十六、外观检测包装装置(116)对上述步骤完成的中间品进行外观检测和包装作业。
2.根据权利要求1所述的一种融合SMT的SIP集成电路封装方法,其特征在于步骤十一中,塑封装置(110)塑封作业时采用塑封料上料架进行塑封料的上料,所述塑封料上料架包括主体框架(5)与横杆(4),主体框架(5)的内部设置有横杆(4),主体框架(5)与横杆(4)通过焊接连接,通过焊接连接,从而可以提高整体结构的稳定性,横杆(4)的中侧设置有连接框(3),横杆(4)与连接框(3)通过焊接连接,主体框架(5)的左右两端设置有放料圆孔(2),主体框架(5)的下端设置有压条(1),主体框架(5)的右端上下两端各设置有一个持握手柄(6),持握手柄(6)可以使得方便进行拿取,两侧持握手柄(6)的内部设置有握把(9),握把(9)的左端设置有控制装置(8),控制装置(8)的左端设置有连接块(7)。
3.根据权利要求2所述的一种融合SMT的SIP集成电路封装方法,其特征在于主体框架(5)的组成包括有固定端(51)、料孔(52)、上侧板(53)、传动装置(54)和下侧板(55),固定端(51)的右端上侧设置有上侧板(53),上侧板(53)的内部设置有料孔(52),从而可以使得上侧板(53)和下侧板(55)能够运动到同一轴心,上侧板(53)的下端设置有下侧板(55),下侧板(55)的右端内部设置有传动装置(54),主体框架(5)通过固定端(51)与横杆(4)固定连接。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





