[发明专利]基板处理装置、半导体装置的制造方法以及存储介质

权利要求书

1.一种基板处理装置，其特征在于，具有：

反应室，其将基板以载置于基板支撑件的状态进行处理；

移载室，其与上述反应室连接，且配置从上述反应室取出的上述基板支撑件；

闸门，其对为了使上述基板在上述移载室的内外移动而设于上述移载室的开口进行开闭；

缓冲架，其在上述移载室的外侧以面向上述开口的方式设置，且保持基板容纳器；

移载机，其在上述缓冲架的上述基板容纳器与上述基板支撑件之间搬送上述基板；

清洁单元，其向上述移载室供给清洁的环境气体；

惰性气体供给器，其向上述移载室供给惰性气体；以及

控制部，其进行以下控制：

在完成了上述移载机进行的从上述基板容纳器至上述基板支撑件的上述基板的搬入而上述闸门被关闭起，直至为了将处理完毕的上述基板从上述基板支撑件搬出至上述基板容纳器而上述闸门再次被打开之间的至少一部分期间内，上述惰性气体供给器供给上述惰性气体，在上述期间外，上述惰性气体供给器不供给上述惰性气体，而且

上述清洁单元构成为能够切换单通模式和循环模式，在上述闸门打开的期间，通过作为空气的环境气体将上述移载室保持为正压，并且使空气从上述移载室中向外流出，其中，上述单通模式是将从装置外获取到的空气清洁化并供给至上述移载室，并且将剩余的空气排出至装置外的模式，上述循环模式是将上述移载室内的环境气体吸引并清洁化而供给至上述移载室的模式。

2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

在上述移载室处于预定的氧浓度以下的环境气体的期间，进行上述基板支撑件的向上述反应室的插入及从上述反应室的取出。

3.根据权利要求1或2所述的基板处理装置，其特征在于，

上述清洁单元在成膜处理顺序中依次将上述移载室切换为大气环境、氮气环境、大气环境，在大气环境下，至少在上述移载机工作的期间以能够排出由上述移载机引起的颗粒的第一流量供给大气，在氮气环境下，以能够将移载室保持为正压的第二流量进行循环。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的基板处理装置，其特征在于，

上述清洁单元具有对向上述移载室供给的环境气体或大气进行冷却的热交换器，上述移载机设于移载室，在上述闸门打开的状态下，实施将基板从设置于移载室外的基板容纳器向上述基板支撑件的移载。

5.根据权利要求1～3中任一项所述的基板处理装置，其特征在于，

在上述移载室的壁的最靠近上述移载机的位置沿上下方向排列设置多个上述开口，

上述闸门将多个上述开口一并进行开闭。

6.根据权利要求1～3中任一项所述的基板处理装置，其特征在于，具备：

保持室，其经由上述开口而与上述移载室连接设置且容纳上述缓冲架；以及

交接单元，其与上述保持室连接设置，且与上述基板处理装置的外部交接上述基板容纳器，

上述基板容纳器是开放式晶盒，

上述交接单元对外部开放。