[发明专利]一种耗尽型场效应管的制作方法

权利要求书

1.一种耗尽型场效应管的制作方法，其特征在于，所述方法包括：

提供衬底，在所述衬底上生长外延层，所述外延层掺杂有第一导电类型离子；

在所述外延层上制作块状分立的厚氧化层；

在所述外延层和所述厚氧化层之间制作栅氧化层；

制作分立的多晶硅栅极，所述多晶硅栅极呈台阶型，每个所述多晶硅栅极分别覆盖一个厚氧化层的表面以及所述厚氧化层两侧外露的栅氧化层；

进行第二导电类型离子的注入和驱入，在相邻的两个多晶硅栅极之间形成体区，所述体区的边缘与两侧的多晶硅栅极覆盖下的栅氧化层重合且与两侧的厚氧化层不重合；

注入第一导电类型离子，所述第一导电类型离子注入的最大穿透深度大于所述多晶硅栅极与所述栅氧化层的总厚度，且小于所述多晶硅栅极、所述栅氧化层以及所述厚氧化层三者的总厚度，从而在所述体区与两侧的多晶硅栅极覆盖下的栅氧化层重合的部分形成沟道区、在不重合的部分形成源区；以1.0E15~1.0E16个/cm的剂量以及50KEV～500KEV的能量注入所述第一导电类型离子，通过调整离子注入的能力调整所述耗尽型场效应管的阈值电压；

制作介质层、接触孔以及金属层；

其中，所述第一导电类型离子为N型离子、所述第二导电类型离子为P型离子，或者，所述第一导电类型离子为P型离子、所述第二导电类型离子为N型离子。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

所述厚氧化层的生长温度为900~1200℃，制作得到的所述厚氧化层的厚度为0.1~2.0μm。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

所述栅氧化层的生长温度为900~1100℃，制作得到的所述栅氧化层的厚度为0.02~0.20μm。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述制作分立的多晶硅栅极，包括：

在所述厚氧化层以及外露的所述栅氧化层的表面生长多晶硅层，所述多晶硅层的生长温度为500~700℃，生长得到的多晶硅层的厚度为0.3~0.8μm；

对覆盖在外露的栅氧化层的表面的多晶硅层的预定区域进行刻蚀，直至露出所述预定区域的栅氧化层，从而制作得到分立的多晶硅栅极。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述进行第二导电类型离子的注入和驱入，包括：

以1.0E14~1.0E15个/cm的剂量以及80KEV~120KEV的能量注入所述第二导电类型离子；

在1100~1200℃的温度范围内进行驱入，时间为50~200分钟。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

制作得到的所述介质层包括磷硅玻璃介质层和二氧化硅介质层，所述磷硅玻璃介质层的厚度为0.8μm，所述二氧化硅介质层的厚度为0.2μm。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

所述金属层包括正面金属层和背面金属层，所述正面金属层的材料采用铝、硅、铜合金，所述背面金属层的材料采用钛、镍、银复合层。