[发明专利]一种氧化亚钴纳米晶的制备方法及其制备的氧化亚钴纳米晶有效
| 申请号： | 201811011228.5 | 申请日： | 2018-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN108975415B | 公开（公告）日： | 2020-07-10 |
| 发明（设计）人： | 张璋;程鹏飞;袁陈;胡先标;李婧;王新 | 申请（专利权）人： | 肇庆市华师大光电产业研究院 |
| 主分类号： | C01G51/04 | 分类号： | C01G51/04;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人： | 任重 |
| 地址： | 526040 广东省肇庆市*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 氧化 纳米 制备 方法 及其 | ||
【权利要求书】：
1.一种氧化亚钴纳米晶的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：以钴盐和三苯基膦为前驱体，将前驱体完全溶解于油胺中，在密闭环境下反应10～20h，洗涤烘干即得氧化亚钴纳米晶，反应温度为120～180℃，所述钴盐的纯度≥99.5％，所述钴盐和三苯基膦的质量比为1:10～1:20。
2.如权利要求1所述制备方法，其特征在于，所述反应温度为180℃，反应18h。
3.如权利要求1所述制备方法，其特征在于，所述钴盐为乙酸钴。
4.如权利要求1所述制备方法，其特征在于，所述洗涤的溶剂为无水乙醇和/或异丙醇。
5.如权利要求1所述制备方法，其特征在于，所述洗涤的次数大于等于2次。
6.如权利要求1所述制备方法，其特征在于，所述反应的升温速度为8～10℃/min。
7.如权利要求1所述制备方法，其特征在于，所述烘干温度为30～70℃。
8.一种权利要求1～7任一项所述方法制备的氧化亚钴纳米晶。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于肇庆市华师大光电产业研究院，未经肇庆市华师大光电产业研究院许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201811011228.5/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
