[发明专利]一种晶圆结构及其测试方法有效
| 申请号: | 201811008476.4 | 申请日: | 2018-08-31 |
| 公开(公告)号: | CN109285827B | 公开(公告)日: | 2019-05-31 |
| 发明(设计)人: | 罗玉辉;陈柱元;程元红;邝智豪;黄逸生 | 申请(专利权)人: | 深亮智能技术(中山)有限公司 |
| 主分类号: | H01L23/544 | 分类号: | H01L23/544;G01N33/00 |
| 代理公司: | 广州市越秀区海心联合专利代理事务所(普通合伙) 44295 | 代理人: | 王洪娟;冼俊鹏 |
| 地址: | 528400 广东省中山市*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 氧化环境 氧化数据 多层金属层 金属层 外延层 圆结构 测试 种晶 测试结果误差 多层间隔 多层金属 功率器件 晶圆结构 分隔层 衬底 叠放 调试 金属 | ||
1.一种晶圆结构,包括叠放的衬底(110)和外延层;其特征在于,所述外延层包括多层间隔设置的金属层(113)和分隔层(112);所述的各层金属层(113)的金属含量不同;所述金属层(113)为含铝层,其铝含量逐层递变;所述金属层(113)的铝含量变化步长为1%;所述金属层(113)设置七层,其铝含量范围为92%-98%,最远离衬底(110)的金属层的铝含量为92%,最靠近衬底(110)的金属层的铝含量为98%。
2.根据权利要求1所述一种晶圆结构,其特征在于,所述的各层金属层(113)的厚度不同。
3.一种测试权利要求1-2任一所述晶圆结构的测试方法,其特征在于,包括以下步骤:
S0、通过刻蚀露出所述晶圆结构的金属层(113)侧面;
S1、对各层金属层(113)的侧面同时进行氧化;
S2、获取各层金属层(113)的氧化深度;
S3、根据各层金属层(113)的氧化深度得到对应金属层(113)的氧化速度。
4.根据权利要求3所述一种晶圆结构的测试方法,其特征在于,步骤S0中采用干法刻蚀;步骤S1中采用湿法氧化对金属层(113)进行氧化。
5.根据权利要求4所述一种晶圆结构的测试方法,其特征在于,所述湿法氧化包括以下步骤:
S11、通入氮气;
S13、通入氧气和氢气,点燃氢气,对各层金属层(113)进行氧化。
6.根据权利要求5所述一种晶圆结构的测试方法,其特征在于,所述步骤S11中氮气通入前先进行90℃水浴;所述氢气与氧气的摩尔比小于2:1。
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