[发明专利]一种用于开关电源的掉电延时保护电路有效

专利信息
申请号: 201810981467.7 申请日: 2018-08-27
公开(公告)号: CN108964434B 公开(公告)日: 2020-06-16
发明(设计)人: 张斌;王新兵;曹海江;郭鑫 申请(专利权)人: 北京机械设备研究所
主分类号: H02M1/34 分类号: H02M1/34
代理公司: 北京天达知识产权代理事务所(普通合伙) 11386 代理人: 侯永帅;和欢庆
地址: 100854 北京市海淀区永*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 用于 开关电源 掉电 延时 保护 电路
【权利要求书】:

1.一种用于开关电源的掉电延时保护电路,其特征在于,包括MOS开关子电路、延时保护子电路和MOS掉电保护子电路;所述MOS开关子电路的输入端与输入电源的输出端连接,其输出端一路与所述开关电源控制电路的供电端正极连接,另一路经所述延时保护子电路、MOS掉电保护子电路与所述开关电源控制电路的供电端负极连接;并且,所述MOS掉电保护子电路的充放电端与所述MOS开关子电路的输出端连接;

输入电源正常供电时,所述MOS开关子电路导通,所述延时保护子电路工作,所述MOS掉电保护子电路充电;

输入电源断电时,所述MOS开关子电路断开,所述延时保护子电路工作,所述MOS掉电保护子电路放电;

所述MOS开关子电路包括单向导通器、驱动器1、MOS开关1;

所述单向导通器的阳极与所述输入电源输出端连接,并经所述驱动器1与MOS开关1的栅极连接,其阴极一路直接与开关电源控制电路的供电端正级连接,另一路经所述延时保护子电路、MOS掉电保护子电路与所述开关电源控制电路的供电端负极连接;所述MOS开关1的源极接地或接负电源,其漏极与延时保护子电路输入参考地端连接;驱动器1,用于驱动MOS开关1工作,并限制通过所述栅极的电流;

所述延时保护子电路包括延时器件、驱动器2;所述延时器件与所述驱动器2串联;

所述延时器件,用于对MOS掉电保护电路的充放电速度进行限制,延长输入电源的供电时间;

所述驱动器2,用于驱动MOS掉电保护子电路进行充放电;

所述MOS掉电保护子电路包括可充电式储能器、MOS开关2、限流器;

所述MOS开关2的栅极与所述驱动器2的输出端连接,其源极与漏极之间通过所述限流器连接,并且,其源极经所述可充电式储能器与所述单向导通器的阴极、所述开关电源控制电路供电端正极连接,其漏极与所述开关电源控制电路供电端负极连接;

所述可充电储能器采用电容C1,所述MOS开关2采用MOS场效应管Q2,所述限流器采用电阻R3

所述延时器件采用电容C2,所述驱动器2采用电阻R2

所述电阻R2的一端与所述单向导通器的阴极连接,并与所述MOS掉电保护子电路充放电端、所述开关电源控制电路供电端正极连接,所述电阻R2的另一端与MOS开关2的栅极连接,并经电容C2与所述开关电源控制电路供电端负极、MOS开关1的漏极、MOS开关2的漏极连接;

所述电容C1包括正极和负极,所述正极与所述电阻R2的一端、所述单向导通器的阴极连接,所述负极与所述MOS场效应管Q2的源极连接;所述MOS场效应管Q2的源极与其漏极之间通过电阻R3连接,所述MOS场效应管Q2的漏极还与所述开关电源控制电路的供电端负极连接。

2.根据权利要求1所述的用于开关电源的掉电延时保护电路,其特征在于,所述单向导通器采用二极管D1,所述驱动器1采用电阻R1和输入电源,所述MOS开关1采用场效应管Q1

所述D1的阳极与输入电源的正极连接,并经电阻R1与场效应管Q1的栅极连接,D1的阴极与开关电源控制电路的供电端正极连接,并经所述延时保护子电路、MOS掉电保护子电路与所述开关电源控制电路的供电端负极连接;所述场效应管Q1的源极与输入电源的负极连接,其漏极与延时保护子电路输入参考地端连接。

3.根据权利要求2所述的用于开关电源的掉电延时保护电路,其特征在于,所述MOS场效应管1、MOS场效应管2采用金属氧化物半导体场效应管;

所述电容C1采用超级电容器。

4.根据权利要求2或3所述的用于开关电源的掉电延时保护电路,其特征在于,电阻R1、R2、R3的至少一个为可变电阻器。

5.根据权利要求3所述的用于开关电源的掉电延时保护电路,其特征在于,电容C1的充电电流i满足以下条件

式中,Uin为输入电源的幅值,R3为电阻R3的阻值。

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