[发明专利]一种降低编程干扰的控制方法及装置有效
| 申请号： | 201810963290.8 | 申请日： | 2018-08-22 |
| 公开（公告）号： | CN109378028B | 公开（公告）日： | 2020-11-17 |
| 发明（设计）人： | 梁轲;侯春源 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | G11C16/34 | 分类号： | G11C16/34;G11C16/30 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 王亮;张颖玲 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市洪山区东*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 降低 编程 干扰 控制 方法 装置 | ||
1.一种降低编程干扰的控制方法，所述方法应用于存储器件，其特征在于，所述方法包括：在预充电阶段，
在所述存储器件的底栅上加载第一预设电位；在所述存储器件的P阱上加载第二预设电位；并且所述第一预设电位低于所述第二预设电位，以使所述存储器件的沟道孔的电位基于所述第一预设电位和所述第二预设电位之间的电位差而提升。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一预设电位为接地电位GND。
3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：在预充电阶段，
在所述存储器件的顶栅上加载第三预设电位，所述第三预设电位为使得所述顶栅处于开启状态的电位；在所述存储器件的位线上加载第四预设电位，所述第四预设电位等于所述第二预设电位。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述第二预设电位为电源电位Vcc。
5.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：在预充电阶段，
在所述存储器件的顶栅上加载第五预设电位，所述第五预设电位为使得所述顶栅处于关闭状态的电位。
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：在预充电阶段，将所述存储器件的位线浮置。
7.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述第二预设电位为电源电位Vcc，或者所述第二预设电位高于电源电位Vcc。
8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述存储器件包括多个存储单元块，所述多个存储单元块分为被选中的存储单元块以及未被选中的存储单元块；
所述在存储器件的底栅上加载第一预设电位，包括：在所述被选中的存储单元块的底栅上加载第一预设电位；并将所述未被选中的存储单元块的底栅浮置。
9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：在预充电阶段之后，继续在所述存储器件的P阱上加载第二预设电位，或者在所述存储器件的P阱上加载接地电位GND。
10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述存储器件为三维NAND型存储器。
11.一种降低编程干扰的控制装置，所述控制装置应用于控制存储器件，其特征在于，所述装置包括：
第一控制模块，用于控制所述存储器件的电路，使其在预充电阶段，在所述存储器件的底栅上加载第一预设电位；在所述存储器件的P阱上加载第二预设电位；并且所述第一预设电位低于所述第二预设电位，以使所述存储器件的沟道孔的电位基于所述第一预设电位和所述第二预设电位之间的电位差而提升。
12.根据权利要求11所述的装置，其特征在于，所述第一预设电位为接地电位GND。
13.根据权利要求11或12所述的装置，其特征在于，所述第一控制模块，还用于控制所述存储器件的电路，使其在预充电阶段，
在所述存储器件的顶栅上加载第三预设电位，所述第三预设电位为使得所述顶栅处于开启状态的电位；在所述存储器件的位线上加载第四预设电位，所述第四预设电位等于所述第二预设电位。
14.根据权利要求13所述的装置，其特征在于，所述第二预设电位为电源电位Vcc。
15.根据权利要求11或12所述的装置，其特征在于，所述第一控制模块，还用于控制所述存储器件的电路，使其在预充电阶段，
在所述存储器件的顶栅上加载第五预设电位，所述第五预设电位为使得所述顶栅处于关闭状态的电位。
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