[发明专利]半导体器件及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底，所述半导体衬底上具有鳍部、覆盖鳍部部分侧壁的隔离结构、以及横跨鳍部且覆盖部分隔离结构的伪栅极结构；

在所述鳍部侧壁表面形成第一侧墙；

在所述第一侧墙侧壁表面形成阻挡层；

形成所述阻挡层之后，在伪栅极结构两侧的鳍部内形成凹槽，所述凹槽暴露出所述第一侧墙；

在所述凹槽内形成源漏掺杂层。

2.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述第一侧墙还覆盖伪栅极结构侧壁表面。

3.如权利要求2所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述第一侧墙的形成方法包括：在所述隔离结构上、鳍部和伪栅极结构上形成第一侧墙材料层；回刻蚀所述第一侧墙材料层，直至暴露出所述鳍部顶部表面和伪栅极结构的顶部表面，形成覆盖所述鳍部侧壁表面和伪栅极结构侧壁表面的第一侧墙。

4.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述第一侧墙的材料包括：氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、碳氮化硅或碳氮氧化硅；所述第一侧墙的厚度为：5纳米～15纳米。

5.如权利要求2所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述阻挡层还覆盖伪栅极结构侧壁表面的第一侧墙。

6.如权利要求5所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述阻挡层的形成方法包括：在所述隔离结构上、鳍部、伪栅极结构以及第一侧墙上形成阻挡材料层；回刻蚀所述阻挡材料层，直至暴露出所述鳍部的顶部表面和伪栅极结构的顶部表面，形成覆盖所述第一侧墙表面的阻挡层。

7.如权利要求6所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，形成所述阻挡材料层的工艺包括原子层沉积工艺；所述原子层沉积工艺的参数包括：采用的气体包括SiH₂Cl₂和NH₃，SiH₂Cl₂和NH₃的流量为1500标准毫升/分钟～4000标准毫升/分钟，温度为200摄氏度～600摄氏度，压强为1毫托～10毫托，循环次数为5次～100次。

8.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述阻挡层的材料包括：氧化硅；所述阻挡层的厚度为：3纳米～10纳米。

9.如权利要求5所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，形成所述阻挡层之后，形成所述凹槽之前，还包括：采用第一离子注入工艺在所述鳍部侧壁的部分阻挡层内掺杂第一离子；所述第一离子注入之后，刻蚀去除伪栅极结构侧壁表面的阻挡层，且在所述刻蚀去除伪栅极结构侧壁表面的阻挡层的工艺中，位于鳍部侧壁的阻挡层刻蚀速率小于位于伪栅极结构侧壁的阻挡层的刻蚀速率。

10.如权利要求9所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述第一离子包括：硅离子、碳离子或者锗离子；所述第一离子注入的工艺参数包括：注入的离子为硅离子、碳离子或者锗离子，能量范围为1KeV～～20KeV，剂量范围为1.0e14atm/cm²～2.0e16atm/cm²，倾斜角度为15度～30度；所述第一离子注入的方向垂直于所述鳍部的延伸方向。

11.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，形成所述第一侧墙之前，还包括：在伪栅极结构和鳍部侧壁表面形成第二侧墙；形成所述第二侧墙之后，在伪栅极结构和第二侧墙两侧的鳍部内形成轻掺杂区。

12.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，形成源漏掺杂层之前，还包括：对所述凹槽进行预清洗工艺；所述预清洗工艺参数包括：刻蚀溶液为稀氢氟酸，稀释比例为100:1～1000:1。