[发明专利]芯片可持续失效分析方法在审
| 申请号： | 201810959285.X | 申请日： | 2018-08-22 |
| 公开（公告）号： | CN109188239A | 公开（公告）日： | 2019-01-11 |
| 发明（设计）人： | 王晓云;范宇平;张东升 | 申请（专利权）人： | 安徽信息工程学院 |
| 主分类号： | G01R31/28 | 分类号： | G01R31/28 |
| 代理公司： | 北京润平知识产权代理有限公司 11283 | 代理人： | 张苗 |
| 地址： | 241000 安徽省芜湖*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 芯片 失效分析 测试针 缓冲垫 对准 缓冲框 一端设置 固定卡 连接孔 针托架 外部 重复 覆盖 | ||
1.一种芯片可持续失效分析方法，其特征在于，所述方法包括：
1)将对准卡(3)套设于芯片(2)的外部并将所述芯片(2)固定于所述基座(1)；
2)将针托架(4)上测试针的一端设置于所述芯片(2)的顶部，接着将缓冲框(5)覆盖所述对准卡(3)的顶部以使得所述测试针、对准卡(3)相接触，然后将所述测试针的另一端通过连接孔(6)固定于所述基座(1)上；
3)将缓冲垫(7)分布于所述缓冲框(5)的两侧，接着将固定卡(8)设置于缓冲垫(7)的顶部以使得所述缓冲垫(7)固定于所述基座(1)的顶部。
2.根据权利要求1所述的芯片可持续失效分析方法，其特征在于，所述芯片(2)通过凝胶固定于所述基座(1)上。
3.根据权利要求1所述的芯片可持续失效分析方法，其特征在于，所述芯片(2)上的晶圆间形成压有基准线，所述对准卡(3)的内缘能够对准所述基准线。
4.根据权利要求1所述的芯片可持续失效分析方法，其特征在于，所述芯片(2)的固定位置由所述芯片(2)的尺寸开口决定以便于EMMI/OBIRCH反面抓热点。
5.根据权利要求1所述的芯片可持续失效分析方法，其特征在于，所述所述针托架上的多个测试针平行间隔设置。
6.根据权利要求1所述的芯片可持续失效分析方法，其特征在于，所述测试针为平针。
7.根据权利要求1所述的芯片可持续失效分析方法，其特征在于，所述针托架(4)的中间开口大小依据芯片(2)的大小而调整。
8.根据权利要求5所述的芯片可持续失效分析方法，其特征在于，相邻两个所述测试针间的距离根据缓冲垫(7)相应的信息测试调整。
9.根据权利要求1所述的芯片可持续失效分析方法，其特征在于，所述缓冲框(5)为斜角框。
10.根据权利要求9所述的芯片可持续失效分析方法，其特征在于，所述缓冲框(5)为橡胶框。
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